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韩正同

作品数：1 被引量：12H指数：1
供职机构：中国矿业大学机电工程学院更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇合金
  • 1篇锑
  • 1篇AL-SI合...
  • 1篇变质
  • 1篇SB

机构

  • 1篇东南大学
  • 1篇中国矿业大学

作者

  • 1篇董光明
  • 1篇廖恒成
  • 1篇孙国雄
  • 1篇韩正同

传媒

  • 1篇铸造

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Sb在Al-Si合金中的变质行为被引量：12
2008年
Sb的变质机理可分为影响形核理论与限制生长理论。影响形核理论又分为增加形核核心及减少形核核心二种假说。限制生长理论包括Sb降低Si的扩散能力假说、共晶Si被共晶Al超越假说、AlSb分子的吸附阻碍共晶Si生长假说、Sb质点阻碍共晶Si生长假说、Sb在固液界面富集假说、Sb吸附在共晶Si的表面阻碍共晶Si生长假说等。Sb变质的Al-Si合金共晶反应倾向于以体积凝固的方式进行。AlSb及Mg3Sb2是共晶形核的可能核心。Sb会降低Al-Si合金的共晶反应温度。纯Sb变质有50 min孕育期。Mg对Sb的变质有干扰作用。Sb的含量较高时会出现过变质现象。
董光明廖恒成孙国雄韩正同
关键词：锑AL-SI合金变质
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