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牛通

作品数：14 被引量：30H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十四研究所更多>>
相关领域：金属学及工艺化学工程电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇氮化
  • 4篇氮化铝
  • 4篇可焊性
  • 3篇电镀
  • 3篇镀层
  • 3篇膜层
  • 3篇金刚石
  • 3篇基板
  • 3篇附着力
  • 3篇刚石
  • 2篇镀镍
  • 2篇化学镀
  • 2篇化学镀镍
  • 2篇合金
  • 2篇铜
  • 2篇粗糙度
  • 1篇导热
  • 1篇等离子处理
  • 1篇电镀工艺
  • 1篇电镀技术

机构

  • 13篇中国电子科技...

作者

  • 13篇牛通
  • 10篇王从香
  • 4篇崔凯
  • 3篇胡永芳
  • 2篇韩宗杰
  • 2篇李浩
  • 2篇张梁娟
  • 1篇侯清健
  • 1篇钱吉裕
  • 1篇严伟
  • 1篇王锋
  • 1篇纪乐
  • 1篇吕安国

传媒

  • 7篇电子机械工程
  • 2篇电镀与涂饰
  • 2篇电子与封装
  • 1篇第八届华东三...

年份

  • 1篇2023
  • 5篇2020
  • 2篇2017
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高深径比TSV填孔电镀技术被引量：2
2020年
随着电子器件朝着小型化、多功能化、高功率密度方向发展,硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)技术越来越受到业界的重视。填孔电镀技术是TSV的核心技术之一。文中探讨了填孔电镀的机理以及TSV电镀药水中各种添加剂对填充效果的影响,对比了国内外TSV电镀设备的现状,重点分析了TSV铜柱内空洞形成的原因和应对措施。分析认为导致空洞的主要原因有2个方面:一是电流聚集效应;二是物质(铜离子)的质量传输效应。在此基础上,实现了直径30μm、深度210μm的TSV无空洞填充,可为国内TSV技术的发展提供参考。
牛通李浩崔凯王从香
基于本征光敏型聚酰亚胺的多层薄膜电路制作工艺被引量：1
2017年
本征光敏型聚酰亚胺(PSPI)具有优良的热稳定性、感光性、力学性能和介电性能,其在MCM组件中的应用,将进一步降低组件的重量、提高封装密度。在国外,PSPI在MCM中的应用已较为成熟,而国内在这方面与国外有较大的差距。为此,文章从应用的角度出发,研究了PSPI的光刻特性,优化工艺参数后,厚度10μm的PSPI可刻出Φ30μm的微孔;PSPI表面沉积金属的附着力是难点和关键,文中重点对PSPI表面金属化工艺进行了研究,通过对PSPI进行等离子处理工艺的优化,在其表面TiW-CuAu膜层的附着力满足要求,附着力达25 MPa;在此基础上,制作出了"3层介质+3层电路"的多层薄膜微波测试电路。结果表明,测试电路层间导通良好,在1~40 GHz范围内插入损耗小于0.85 d B,回波损耗小于-13 d B。
牛通王从香
关键词：附着力等离子处理
热循环对SiCp/Al复合材料性能影响的研究
2012年
SiCp/Al复合材料具有可调的热膨胀系数(CTE)、高热导率、低密度和良好的尺寸稳定性等优异性能,广泛应用于航空航天、军用电子等封装领域,由于SiCp/Al复合材料制成的组件工作环境较为苛刻,温度变化对其影响值得探讨。文章研究了热循环对SiCp/Al复合材料的CTE、热导率和弯曲强度的影响,并对其热膨胀行为作了分析。实验结果表明,热循环能有效降低SiCp/Al中的热残余应力,其热性能比铸态明显改善,弯曲强度有所降低;在低温阶段,经退火处理和退火处理+热循环处理后SiCp/Al的CTE基本重合,在高温阶段,经退火处理+热循环处理后的SiCp/Al具有更低的CTE。
牛通
关键词：SICPAL复合材料热循环热残余应力CTE
金刚石/铜在微波功率组件热设计中的应用研究被引量：1
2017年
随着军用雷达电子装备的功率和功率密度的不断增加,对微波功率组件的散热要求越来越高,传统组件材料已经无法满足日益增加的热流密度要求,对新型热管理材料的需求变得愈加迫切。金刚石/铜具有优异的热传导性能和与芯片匹配的热膨胀系数,是一种极具竞争力的可用于组件封装的热设计材料。文中对金刚石/铜在微波功率组件工程应用中面临的问题开展了相关试验研究,通过热性能仿真测试以及振动、冲击等环境试验验证了其在微波功率组件热设计中应用的可行性。
张梁娟钱吉裕牛通韩宗杰
关键词：高导热
一种氮化铝高温共烧陶瓷的混合集成电路基板制作方法
本发明属于混合集成电路基板制造技术领域，公开了一种氮化铝高温共烧陶瓷的混合集成电路基板制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、氮化铝HTCC基板制作；步骤二、氮化铝HTCC基板研磨抛光；步骤三、氮化铝HTCC基板清洗...
王从香崔凯李浩张眯谢迪牛通侯清健胡永芳
T/R壳体的表面状态对铟锡润湿性的影响
2014年
铝硅封装材料具有低膨胀、高导热、轻质等特点,可作为微波T/R组件的封装壳体材料。然而,在铟锡低温焊接时却出现了焊料不铺展、起球等现象,妨碍了正常的生产。为此,文中对T/R壳体(表面镀镍金的铝硅壳体)的状态与铟锡焊料润湿性的关系进行了探讨。试验统计发现,铟锡焊料的不润湿表观上是因为接触角滞后,实际上是因为受到了T/R壳体表面粗糙度和镍镀层厚度的共同制约。
牛通
关键词：铝硅粗糙度润湿性
钛合金上可焊性镍-金复合镀层的制备及表征被引量：5
2013年
介绍了一种在TC4钛合金上获得可焊性镀层的工艺,其流程主要包括除油、酸蚀、活化、电镀氨基磺酸镍、镀纳米薄金、热处理和电镀金。讨论了TC4钛合金前处理和热处理工艺对镀层性能的影响。对前处理过程中钛合金表面形貌的变化以及各镀层的表面形貌和元素组成进行了表征。所得Ni–Au复合镀层结合力良好,经350°C×30min的热震试验后无鼓泡、开裂,一次合格率达到95%。复合镀层与Sn37Pb焊料的润湿性良好,焊透率达98%。该工艺解决了TC4钛合金材料可焊性镀层批量镀覆的技术难题。
王从香牛通
关键词：钛合金可焊性镀层镍金
氮化铝表面分层电镀制备金锡共晶薄膜工艺被引量：1
2020年
采用分层电镀技术在氮化铝基板上制备了金锡共晶薄膜,主要工序为磁控溅射铜、电镀镍、电镀锡、电镀金和热处理。研究了电镀工艺和热处理的相关因素对金锡共晶膜层性能的影响,得到了可制得Au、Sn质量分数分别为(80±1)%和(20±1)%的金锡共晶合金膜的工艺参数。所得共晶膜可焊性良好,剪切强度优异。
牛通纪乐王从香夏海洋
关键词：电镀氮化铝可焊性剪切强度
金刚石/铜复合散热材料的制备和检测被引量：9
2014年
金刚石/铜复合材料具有高的热导率和可调的热膨胀系数,是一种极具竞争力的新型电子封装材料,可作为散热材料广泛应用于高功率、高封装密度的器件中。文中从工程化的角度出发,对应用中的瓶颈因素进行了研究。为改善其钎焊性能,采用磁控溅射、电镀等方法在金刚石/铜表面获得了附着力、可焊性良好的Ti-Cu-Ni-Au复合膜层。在此基础上进行了钎焊试验,金锡焊料在复合膜层上铺展良好、无虚焊。对金刚石/铜的散热效果与钼铜片做了对比试验,结果表明,在相同条件下,与钼铜热沉片相比,降温幅度超过20℃,具有更优异的散热效果。
牛通韩宗杰张梁娟王从香严伟
关键词：金刚石铜电子封装材料膜层可焊性
氮化铝多层共烧陶瓷基板的化学镀镍钯金技术被引量：9
2020年
氮化铝多层高温共烧陶瓷(HTCC)基板具有优良的散热性能和与芯片匹配的热膨胀系数,其热导率比LTCC高两个数量级左右。在HTCC制作过程中,需要使用高熔点的钨浆料,而钨本身不具有可焊性和可键合性,必须对HTCC表面的钨导体进行表面改性,使其具有可焊性和可键合性,便于电子装配。化学镀镍钯金是这种表面改性最理想的方案。在HTCC表面进行化镀的相关文献较少,文中论述了在HTCC上沉积化学镍钯金镀层的原理,探讨了导致化学镍钯金沉积过程中出现的附着力问题的原因,为HTCC上化学镍钯金镀层的质量控制提供了方向指引。
张静波牛通崔凯胡永芳王从香
关键词：氮化铝附着力
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