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焦刚

作品数：2 被引量：7H指数：2
供职机构：微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶体管
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇ALGAN/...
  • 1篇振荡频率
  • 1篇最高振荡频率
  • 1篇离子注入
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇微波毫米波单...

作者

  • 2篇任春江
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇焦刚
  • 2篇李忠辉
  • 2篇李肖
  • 1篇董逊
  • 1篇李拂晓

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT被引量：3
2007年
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。
任春江李忠辉焦刚董逊李肖陈堂胜李拂晓
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气最高振荡频率
AlGaN/GaN HEMT的B^+注入隔离被引量：4
2007年
报道了利用B+注入实现AlGaN/GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量,获得了1011Ω/□的隔离电阻,隔离的高阻特性在700°C下保持稳定。分别制作了用B+注入和台面实现隔离的AlGaN/GaN HEMT,测试表明B+注入隔离的器件击穿电压大于70V,相比于台面隔离器件40V的击穿电压有很大提高;B+注入隔离器件电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别达到15GHz和38GHz,相比台面隔离器件的12GHz和31GHz有一定程度提高。
李肖陈堂胜李忠辉焦刚任春江
关键词：离子注入氮化镓高电子迁移率晶体管
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