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杜江涛

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室更多>>
发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金海南省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇阈值
  • 1篇激光
  • 1篇激光阈值
  • 1篇GAN
  • 1篇LD
  • 1篇波长

机构

  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇王存达
  • 1篇冯列峰
  • 1篇赵昆
  • 1篇杨秀芳
  • 1篇杜江涛
  • 1篇李倩倩

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaN基450nm波长LD在阈值处的反常电学特性
2015年
精确表征了GaN基450nm波长LD的电学特性,表观测量的电学参量在阈值附近都出现了明显的突变。器件的(IdV/dI-I)曲线在阈值处突然上跳。与此对应,其他电学参量在阈值处的突变也与以往观察到的窄带隙780nm波长LD在阈值处的突变完全反向。表观特性的反常必定造成反常的结特性,利用ac-IV方法精确表征了器件的结特性,在阈值区各结电学参量的突变趋势与以往报道的窄带隙780nm波长LD也完全相反。光学实验表明,在阈值区内(约3mA)光功率增加近1个量级。光特性的突然增加必定与电学特性的突变存在必然联系。所有这些反常的电学特性是传统的激光器理论难以解释的,将促使LD理论的进一步发展。
杨秀芳赵昆李倩倩杜江涛王存达冯列峰
关键词：GAN激光阈值LD
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