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李睿

作品数：3 被引量：11H指数：3
供职机构：西南交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金四川省科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇带隙基准
  • 3篇曲率补偿
  • 2篇带隙基准源
  • 2篇亚阈值
  • 2篇温度系数
  • 2篇基准源
  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗高精度
  • 1篇低温漂
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇稳压
  • 1篇功耗

机构

  • 3篇西南交通大学

作者

  • 3篇冯全源
  • 3篇李睿

传媒

  • 1篇电子技术应用
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种高性能曲率补偿带隙基准源的设计被引量：3
2016年
在传统带隙基准的基础上,利用曲率补偿和预稳压结构,设计了一种高性能带隙基准源。利用MOS管在亚阈值区域时的指数特性,对基准电压进行曲率补偿,使用预稳压结构提高电源抑制能力。该电路结构简单,实现了较宽的电压输入范围(2.5~10V)。在UMC 0.25μm BCD工艺上进行仿真,结果表明,电源电压为2.5~10V,基准电压变化峰峰值为142μV;温度在-40℃~150℃内,电路的温度系数为8.0×10^(-7)/℃;低频时,电源抑制比为-95dB;电源电压为5V时,静态功耗电流为10.4μA。
李睿冯全源
关键词：带隙基准亚阈值温度系数
一种分段曲率补偿带隙基准源设计被引量：3
2015年
在传统带隙基准的基础上,设计了一种分段曲率补偿的低温漂带隙基准。利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,在低温和高温段同时对基准电压进行曲率补偿,采用UMC 0.25μm BCD工艺进行仿真。仿真结果表明,电源电压5 V时,静态功耗电流为7.11μA;电源电压2.5~5.5 V,基准电压变化148μV;温度在–40^+145℃内,电路的温度系数为1.18×10–6/℃;低频时电源抑制比为–87 d B。
李睿冯全源
关键词：带隙基准亚阈值曲率补偿温度系数电源抑制比
一种低功耗高精度带隙基准的设计被引量：5
2015年
基于U MC 0.25μm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用N MOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿。仿真结果表明,电源电压5V时,静态电流功耗为3.16μA;电源电压2.5 V^5.5 V,基准电压变化53μV;温度在-40℃~130℃内,电路的温度系数为0.86×10-6/℃;三种工艺角下,低频时电路电源抑制比都小于-95 d B。
李睿冯全源
关键词：带隙基准功耗曲率补偿低温漂
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