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张世勇

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

主题

  • 3篇晶体管
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓材料
  • 2篇电学参数
  • 2篇电子器件
  • 2篇散射参数
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇输运
  • 2篇输运特性
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置条件
  • 2篇迁移率
  • 2篇自对准
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇蒙特卡洛仿真
  • 2篇结合能
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气

机构

  • 10篇中国工程物理...

作者

  • 10篇张世勇
  • 8篇童小东
  • 6篇谭为
  • 2篇蒋均
  • 2篇何月
  • 1篇张健
  • 1篇曾耿华

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高氮化镓基电子器件可靠性的方法及氮化镓基电子器件
本发明提供了一种提高氮化镓基电子器件可靠性的方法，包括：在氮化镓基电子器件制备过程中，外延生长氮化镓层后，将氟原子掺杂入氮化镓层中，然后在保护气氛中热处理，形成氟掺杂的氮化镓层；在氟掺杂的氮化镓层上外延形成势垒层，继续制...
王蓉童小东张世勇徐建星郑鹏辉谭为
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一种高迁移率晶体管的制作方法
本发明公开了一种高迁移率晶体管（HEMT）的制作方法，属于微电子技术领域，涉及半导体器件制作，该方法采用了化学机械抛光的方式将假栅去除，然后制备侧墙，降低沟道长度的同时实现栅的自对准，可以生产出一种短沟道及低源漏电阻的高...
童小东谭为张世勇曾耿华张健
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侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法
本发明公开了一种侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法，通过光刻、金属淀积、剥离的方法在具有二维电子气特性的外延片表面沉积形成两块金属膜，金属膜呈左右分布，退火成欧姆接触层，接着淀积介质层一，通过光刻后刻蚀，在左右两个欧姆接触形...
童小东谭为郑鹏辉张世勇徐建星
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提高氮化镓基电子器件可靠性的方法及氮化镓基电子器件
本发明提供了一种提高氮化镓基电子器件可靠性的方法，包括：在氮化镓基电子器件制备过程中，外延生长氮化镓层后，将氟原子掺杂入氮化镓层中，然后在保护气氛中热处理，形成氟掺杂的氮化镓层；在氟掺杂的氮化镓层上外延形成势垒层，继续制...
王蓉童小东张世勇徐建星郑鹏辉谭为
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一种半导体器件建模方法、系统及电子设备
本发明公开了一种半导体器件建模方法、系统及电子设备，该方法包括如下步骤：(1)生成半导体器件结构模型；(2)交流非稳态条件下计算半导体器件电学参数；(3)计算半导体器件量子散射参数；(4)获取蒙特卡洛仿真环境；(5)单粒...
蒋均张世勇周人何月
一种高迁移率晶体管的制备方法
本发明公开了一种高迁移率晶体管的制备方法，在具有二维电子气特性的外延片表面形成光刻台面，在光刻台面上沉积金属膜、介质层一形成沟槽，退火成欧姆接触层，然后进一步沉积介质层二，将沟槽底部的介质层二刻蚀掉，再沉积金属，形成肖特...
童小东张世勇谭为郑鹏辉徐建星
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一种抗冲击场效应晶体管及抗冲击低噪声放大器
本发明公开了一种抗冲击场效应晶体管，包括场效应晶体管本体和至少一个具有饱和电流的外延层；场效应晶体管本体包括第一活性层，栅极电极，源极电极，以及漏极电极；外延层包括第二活性层，阳极，以及阴极；栅极电极，源极电极和漏极电极...
张世勇徐建星王蓉郑鹏辉童小东
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一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法
本发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法，通过施加较大能量可以将高电子迁移率晶体管表面晶格的原子激发为自由原子，该自由原子会在自由迁移下优先占据形成能较低的漏电通道。在自由原子占据漏电通道之后会改变漏电通道的能带...
张世勇徐建星王蓉郑鹏辉童小东
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载流子浓度调制型高迁移率场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了载流子浓度调制型高迁移率场效应晶体管及其制造方法，包括位于底部的器件衬底，器件衬底上表面形成有外延层，外延层的两端部形成有源极欧姆接触和漏极欧姆接触，外延层与器件衬底之间界面处形成有一定的载流子浓度调制的二维...
张世勇童小东徐建星郑鹏辉谭为
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一种半导体器件建模方法、系统及电子设备
本发明公开了一种半导体器件建模方法、系统及电子设备，该方法包括如下步骤：(1)生成半导体器件结构模型；(2)交流非稳态条件下计算半导体器件电学参数；(3)计算半导体器件量子散射参数；(4)获取蒙特卡洛仿真环境；(5)单粒...
蒋均张世勇周人何月
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