周步康
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 可控直径/周期有序纳米线阵列的制备及性能研究
- 由于半导体纳米线特殊的结构特征和独特的物理、化学性质，Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族材料制成的纳米线在化学传感器、锂电池、热电转换器件、光伏器件等方面有着广泛的应用前景。为了实现半导体纳米线在未来多种领域的应用，制备出直径周期可控的垂直...
- 周步康
- 关键词：半导体纳米线热氧化光学性能
- 文献传递
- 基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列被引量：1
- 2015年
- Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时,针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明,Cr在刻蚀液中是稳定的,因此阻碍了Au催化刻蚀反应,而Ti与反应溶液快速反应,不影响Au对Si衬底化学刻蚀的催化作用。基于以上工作,以PS球为模板沉积制备Ti/Au(3nm/20nm)优质膜,使用金属辅助化学刻蚀,制备了有序的Si纳米线阵列。
- 段花花李新化周步康史同飞李宁陈健王玉琦
- 关键词：SI纳米线
- 热氧化方法制备直径可控的有序硅纳米线阵列
- 2017年
- 采用金属辅助化学刻蚀方法结合纳米球模板技术制备出了有序硅纳米线阵列。硅纳米线阵列经过高温热氧化形成一定厚度的氧化层,再使用稀释的HF溶液去除表面氧化层得到可控直径/周期比、低孔隙密度的有序纳米线阵列。主要研究了氧化温度、氧化时间对硅纳米线形貌的影响,并根据扩展的Deal-Grove模型计算了硅纳米线氧化层厚度与氧化时间的关系,讨论了氧化过程中应力分布的影响,理论计算结果与实验结果一致。最后,采用两步氧化的方法制备出了低直径/周期比(约0.1)、低孔隙密度的有序硅纳米线阵列。
- 周步康李新化曹华翔史同飞陈涛郑建强王玉琦
- 关键词：热氧化硅纳米线
