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刘江宜

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇直流
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇寄生效应
  • 1篇二极管
  • 1篇高频
  • 1篇高频特性
  • 1篇SI

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇唐杨
  • 1篇王燕
  • 1篇王丁
  • 1篇刘江宜

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si肖特基二极管直流及高频建模
2017年
采用分段提参的方法,针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi_2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应,也考虑了势垒不均匀效应、大注入效应及隧穿效应的影响。高频时,在直流特性基础上特别考虑了衬底以及金属寄生效应的影响。该模型直流拟合误差为1.26%,高频时在整个测试频段(1 GHz^67 GHz)内电阻、电容拟合误差分别为3.16%和2.25%。据我们所知,这是首次针对CoSi_2-Si肖特基二极管建立完整模型,考虑直流及高频特性并给出了相应的提参步骤。
刘江宜唐杨王丁王燕
关键词：肖特基二极管寄生效应
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