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胡志良

作品数：6 被引量：15H指数：2
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇数值模拟
  • 4篇值模拟
  • 3篇中子
  • 2篇亚微米
  • 2篇散裂中子源
  • 2篇深亚微米
  • 2篇中子源
  • 2篇微米
  • 2篇NMOS
  • 2篇SOI
  • 2篇超深亚微米
  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇电子辐照
  • 1篇乙烯
  • 1篇质子
  • 1篇质子辐照
  • 1篇中国散裂中子...
  • 1篇束线
  • 1篇数对

机构

  • 6篇西安交通大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇散裂中子源科...

作者

  • 6篇胡志良
  • 4篇贺朝会
  • 1篇刘书焕
  • 1篇张国和
  • 1篇李永宏
  • 1篇于全芝
  • 1篇王超
  • 1篇梁天骄
  • 1篇王松林
  • 1篇胡志良
  • 1篇胡光
  • 1篇周斌
  • 1篇郭达禧

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇核技术
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇原子能科学技...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2019
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
4H-SiC NMOS电子、质子辐照数值模拟被引量：2
2011年
分析了高能电子、质子对4H-SiC的损伤机理,建立了4H-SiC NMOS器件物理模型。电子、质子辐照效应模型。应用ISE-TCAD软件进行数值模拟计算,得出在能量为2.5 MeV、注量为5×1013cm-2的电子辐照及能量为6.5 MeV、注量为2×1014cm-2的质子辐照下,4H-SiC NMOS转移特性曲线和亚阈值漏电流曲线变化的初步规律。数值模拟结果与相同条件下Si NMOS实验结果吻合较好。
胡志良贺朝会
关键词：4H-SIC电子辐照质子辐照数值模拟
应用中国散裂中子源9号束线端研究65 nm微控制器大气中子单粒子效应被引量：7
2019年
采用设置和不设置镉中子吸收体两种方式,利用中国散裂中子源9号束线(CSNS-BL09)对65 nm微控制器进行了大气中子单粒子效应辐照测试.测试中探测到的效应主要为单位翻转.测试结果表明,对于该款微控制器,热中子引起的中子单粒子翻转占比约65%;进一步分析表明,热中子与10B反应产生的0.84 MeV7Li可能是诱发微控制器单粒子翻转的主要因素.
胡志良杨卫涛胡志良李洋李永宏王松林贺朝会于全芝王松林谢飞周斌梁天骄
关键词：热中子中国散裂中子源
工艺参数对SOI NMOS总剂量效应的影响被引量：1
2010年
本文模拟了0.25μm SOI NMOS的总剂量效应,I-V特性曲线随总剂量变化趋势与实测曲线一致。在此基础上探讨了器件在不同掺杂浓度、硅膜厚度、埋氧层厚度以及栅氧层厚度等工艺条件下的总剂量效应,分析了一定剂量条件下各项工艺引起器件性能变化的原因。结果表明,源漏高掺杂、薄硅膜、适当厚度的埋氧层和较薄的栅氧层均有利于提高SOI NMOS的抗总剂量效应的能力。这为器件提高抗总剂量效应设计和加固提供了一定的理论依据。
胡志良贺朝会
关键词：总剂量效应SOINMOS数值模拟
基于Geant4软件的散裂中子源准直与伽马屏蔽设计方法
本发明公开了一种基于Geant4软件的散裂中子源准直与伽马屏蔽设计方法，步骤如下：1、利用Geant4软件进行模拟仿真，根据散裂中子源的中子伽马能谱模拟获得屏蔽伽马射线的屏蔽准直装置最佳材料为铅和聚乙烯；2、使用铅与聚乙...
刘书焕李浩迪朱世杰邢天孟凡钧孙云峰张锡民拉米·艾哈迈德王超王炫周俊烨胡光许浒胡志良
超深亚微米MOS器件辐照效应数值模拟研究
胡志良
关键词：辐照效应数值模拟
超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟被引量：5
2011年
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。
胡志良贺朝会张国和郭达禧
关键词：中子辐照超深亚微米SOINMOSFET数值模拟
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