崔春梅
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 供职机构：兰州理工大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- N/P/As/Sb掺杂(9,0)型碳化硅纳米管的第一性原理被引量：3
- 2016年
- 基于第一性原理,研究(9,0)型碳化硅纳米管壁掺杂N/P/As/Sb元素对其电子结构的影响.结果表明,随着掺杂的VA族原子半径的增加,电负性的减弱,其能带结构发生较大改变,特别是As/Sb分别取代Si原子后,其能带展示出P型半导体特性,这点不同于N原子掺杂后的半金属性,P原子掺杂后表现出的N型半导体特性.计算结果说明五族元素掺杂碳化硅纳米管并不都是N型掺杂.
- 戴剑锋陈达城崔春梅樊学萍
- 关键词：掺杂第一性原理N型半导体P型半导体
