熊帮云
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 双酚A聚碳酸酯退火结晶行为的研究
- 利用旋涂法制备了87nm双酚A聚碳酸酯薄膜,在氮气气氛200℃分别退火6,17,30和48小时。利用椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的膜厚、折射率,结晶状态及表面形貌与退火时间的依赖关系...
- 杨春红李启超熊帮云何春清
- 关键词：正电子湮没自由体积
- 文献传递
- 电子偶素(Ps)在介孔SiO_2薄膜中湮没研究
- 分别以两亲性三嵌段共聚物和阳离子表面活性剂CTAB为模板,采用溶胶-凝胶法制备了多孔二氧化硅薄膜,并利用气体吸附-椭圆偏光仪等测量了其气体吸附行为。通过慢正电子束的正电子湮灭寿命、多普勒展宽谱学(DBAR)及电子偶素时间...
- 何春清熊帮云毛文峰汤秀琴
- 关键词：介孔薄膜正电子湮没空隙率
- 文献传递
- 缺陷及Sb价态对ATO薄膜导电性能影响的研究
- 采用溶胶凝法在单晶硅基板上提拉制备不同浓度Sb掺杂SnO_2(ATO)薄膜,并分别在400℃、600℃和800℃条件下于空气气氛中进行煅烧处理。采用AFM、XPS、四探针测电阻法以及慢正电子束等实验手段对薄膜样品的形貌、...
- 毛文峰熊帮云李启超周亚伟尹崇山何春清
- 关键词：正电子电阻率
- 文献传递
- 聚碳酸酯薄膜的结晶行为
- 2014年
- 采用旋涂法在硅片上镀聚碳酸酯薄膜.将聚碳酸酯薄膜在200℃下进行不同时长的退火处理后,利用正电子湮没多普勒展宽测量技术与原子力显微镜研究不同退火时间对聚碳酸酯薄膜结晶现象的影响.研究结果表明,慢正电子束多普勒展宽测量技术对于聚碳酸酯薄膜早期结晶行为非常敏感.随着退火时间增长,聚碳酸酯薄膜的结晶度增加,高分子结晶过程之中伴随着原子尺度的自由体积大小和浓度而变化,结晶程度与退火时间有着非常紧密的关系.
- 王鹏杨春红李启超熊帮云何春清
- 关键词：聚碳酸酯旋涂法正电子湮没
- 纳米多孔TiO_2薄膜的制备与表征被引量：1
- 2012年
- 以TiCl4为前躯体,两亲性三嵌段共聚物F38为模板剂,Si(100)为衬底,采用溶胶-凝胶法和旋涂涂膜工艺,制备了孔径可调的纳米多孔TiO2薄膜.研究了聚合物模板浓度与TiO2薄膜的纳米孔形态的关系.随着模板剂含量的增加,薄膜中介孔密度随之增加,约大于15%便发生介孔连通,连通后介孔成蠕虫状.同时,研究了不同的退火温度及退火方式对纳米TiO2薄膜晶相的影响.单次退火4h(600～800℃)为锐钛矿相、热稳定性好,而等时退火容易生成锐钛矿相/金红石相的混晶.
- 熊帮云毛亮亮何春清
- 关键词：溶胶-凝胶二氧化钛介孔薄膜
- 阳离子表面活性剂对多孔二氧化硅薄膜的调制:基于慢束的多普勒展宽谱学研究
- 以阳离子型表面活性剂CTAB为结构模板,单面抛光Si(100)为基板,采用溶胶-凝胶技术和提拉法,经煅烧制备了多孔二氧化硅薄膜。采用基于慢正电子束的正电子湮没多普勒展宽谱学表征制备的多孔二氧化硅薄膜。如图1所示,以CTA...
- 熊帮云毛文峰何春清
- 关键词：多孔薄膜二氧化硅薄膜表面活性剂
- 文献传递
