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基于红外成像的瓷支柱绝缘子发热规律研究被引量：19: 2013年; 为分析瓷支柱绝缘子异常发热的主导诱因,在实验室内,对局部发热明显的试品在未经处理、干燥与浸泡处理等三种不同状态下分别施加20kV工频电压,记录不同时长下的红外热像分布图和泄漏电流。研究表明:该试品发热的主要原因为水分子通过裂纹侵入瓷体,在电场作用下产生转向极化所致。在未经处理、浸泡处理后,试品异常发热区域最热点温度和温升变化可分为上升、下降、小幅振荡及稳定等四个阶段。在浸泡处理后,试品发热区域最热点温度和温升同未经处理、干燥两种状态下的数据相比,数值绝对值增加明显。浸泡处理后的泄漏电流变化同最热点温度变化过程基本一致,但上升、下降、小幅振荡过程呈现出持续时长短、拐点出现时间早的特点。; 律方成马建桥汪佛池张文静闫康; 关键词：微裂纹红外热像泄漏电流

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张文静