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张文勇

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室更多>>
发文基金:国家基础科学人才培养基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇射线衍射
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇离子注入
  • 1篇半导体
  • 1篇SI
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇X

机构

  • 1篇武汉大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇郭立平
  • 1篇李铁成
  • 1篇艾志伟
  • 1篇彭国良
  • 1篇彭挺
  • 1篇文闻
  • 1篇何庆
  • 1篇张文勇

传媒

  • 1篇核技术

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
离子注入制备Si_xMn_(1-x)稀磁半导体的X射线衍射
2010年
把1×1016/cm2的200keVMn离子注入p型Si单晶(100)片中,在N2气氛下进行600℃、700℃、800℃和900℃退火,制得SixMn1-x稀磁半导体。用同步辐射X射线衍射技术研究样品结构,发现Mn的注入和退火导致了Si结晶颗粒的产生,随退火温度升高,间隙位的Mn原子逐渐减少,替代位的Mn原子增加,同时晶格发生膨胀。间隙位和替代位Mn原子间的相互作用导致样品的铁磁性增强。
彭国良李铁成张文勇彭挺艾志伟郭立平何庆文闻
关键词:稀磁半导体离子注入X射线衍射
共1页<1>
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