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张招

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇丁腈
  • 2篇丁腈橡胶
  • 2篇正交
  • 2篇正交试验
  • 2篇石墨
  • 2篇橡胶
  • 2篇耐磨
  • 2篇耐磨性
  • 2篇耐磨性研究
  • 2篇DLC
  • 2篇LC
  • 2篇C-
  • 2篇TA-C
  • 1篇多弧离子镀
  • 1篇离子镀
  • 1篇

机构

  • 4篇哈尔滨工业大...

作者

  • 4篇张招
  • 3篇田修波
  • 3篇巩春志
  • 1篇胡健

传媒

  • 1篇真空

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
丁腈橡胶表面C-DLC薄膜制备及其耐磨性研究
通过在橡胶表面沉积C-DLC膜层以达到耐磨性能的提高,是保证密封质量的重要研究课题。本文采用闭合场非平衡磁控溅射(CFUBMS)方法,利用一对石墨磁控靶作为碳源和离化源,在丁腈橡胶表面沉积C-DLC膜的正交试验,分别研究...
张招吴琼宇巩春志田修波
关键词:正交试验
文献传递
石墨阴极弧源复合磁场设计及ta-C薄膜沉积
ta-C薄膜是含sp3键非常高的一种非晶四面体碳基薄膜,因其具有硬度高,摩擦系数小,抗磨性能优异等优良特性,被广泛应用于汽车、电子、生物等领域,具有广泛的市场应用前景。工业应用的ta-C薄膜主要采用石墨靶多弧离子镀沉积。...
张招
关键词:多弧离子镀
文献传递
磁场增强的碳阴极弧沉积ta-C薄膜的基体偏压效应
2017年
利用磁场增强的石墨阴极弧在Si片和M2高速钢上沉积了ta-C薄膜,重点研究了基体偏压对膜层截面形貌、沉积速率、膜层结构、耐腐蚀性能和摩擦系数的影响。结果发现,在-100V偏压下膜层较为致密,缺陷较少;基体偏压增加,膜层沉积速率增加;拉曼光谱分析显示,在-100V偏压下ID/IG值最小(<0.4),表明sp3键含量最高;平衡腐蚀电位随基体偏压先升高后降低,在-100V时最大;膜层耐蚀性提高3倍;摩擦副采用Al2O3,在-100V偏压下摩擦系数最低。
刘宏也张招胡健巩春志田修波
关键词:TA-C
丁腈橡胶表面C-DLC薄膜制备及其耐磨性研究
通过在橡胶表面沉积C-DLC 膜层以达到耐磨性能的提高,是保证密封质量的重要研究课题。本文采用闭合场非平衡磁控溅射(CFUBMS)方法,利用一对石墨磁控靶作为碳源和离化源,在丁腈橡胶表面沉积C-DLC 膜的正交试验,分别...
张招吴琼宇巩春志田修波
关键词:正交试验
共1页<1>
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