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吴志强

作品数:25 被引量:0H指数:0
供职机构:湖南大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 23篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 16篇N
  • 15篇阴极
  • 12篇衬底
  • 11篇阳极
  • 10篇鲁棒
  • 10篇鲁棒性
  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 7篇多晶硅栅
  • 7篇硅栅
  • 6篇静电泄放
  • 5篇LDMOS
  • 4篇可控硅
  • 3篇氧化层
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇二极管
  • 3篇薄栅
  • 3篇薄栅氧化层
  • 2篇导通

机构

  • 25篇湖南大学

作者

  • 25篇吴志强
  • 21篇彭伟
  • 21篇曾云
  • 19篇金湘亮
  • 11篇张云
  • 1篇蒋太交
  • 1篇孙秋芹
  • 1篇汪沨
  • 1篇荣辉桂
  • 1篇彭友松
  • 1篇周武

年份

  • 1篇2023
  • 6篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 11篇2018
  • 2篇2017
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
可控硅静电保护器件
本发明提供一种可控硅静电保护器件,包括衬底、埋氧层、N阱以及P阱,在N阱内设有第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区以及第四N+注入区,在P阱内设有第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区以及第四P+注入区,第...
吴铭陈卓俊曾云彭伟吴志强
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多叉指静电保护器件
本发明提供一种多叉指静电保护器件,包括衬底,衬底上设有深N阱,深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱,第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间,第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区,第一P阱与第二P...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮吴志强张云
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静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件,包括衬底、在所述衬底内设有深N阱,在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱,第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区,第二P阱内从左到右依次设...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮吴志强
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LDMOS静电保护器件
本发明提供一种LDMOS静电保护器件,包括衬底,衬底上设有深N阱,深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区,第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮张云吴志强
文献传递
静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件,包括衬底、在所述衬底内设有深N阱,在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱,第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区,第二P阱内从左到右依次设...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮吴志强
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一种基于ICMP协议的文件安全传输方法
本发明公开了一种在网络层上进行文件安全传输的方法,能够实现基于ICMP协议的网络层上进行文件发送与接收。传输初始化时通讯双方采用非对称加密算法协商秘钥,协商完毕后采用对称加密算法对信息进行加密,使得传输过程中信息处于加密...
吴志强荣辉桂蒋太交彭友松
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高速低抖动无参考源时钟数据恢复电路设计
随着串并接口(Serializer/Deserializer,Ser Des)技术的快速发展,有线通信设备对于Ser Des传输数据的速率和质量要求越来越高,影响高速Ser Des传输数据质量的因素主要是信道和封装的非理...
吴志强
关键词:时钟数据恢复低抖动
静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件,包括衬底、在衬底内设有深N阱,在深N阱内设有第一P阱、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第三N+注入区以及第二P阱,第一P阱内设有第一P+注入区以及第一N+注入区...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮张云吴志强
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可控硅静电保护器件
本发明提供一种可控硅静电保护器件,包括衬底,所述衬底上设有深N阱,所述深N阱内设有P阱和N阱,所述P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区,所述N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区;所...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮吴志强
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静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件,包括衬底,在衬底内设有深N阱,在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱,第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区,第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮张云吴志强
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共3页<123>
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