吕玉冰
- 作品数：11 被引量：8H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 增强蓝光响应的576×96 TDI可见光CCD研制
- 采用多晶硅栅开孔工艺,实现了增强蓝光响应的576×96 TDI可见光CCD设计及制作。本文介绍了增强蓝光响应的TDI可见光CCD的结构设计和制作,并进行了量子效率测试,器件的量子效率在500nm处达到30%。
- 吕玉冰刘冰李作金邵振
- 关键词：TDICCD
- 文献传递
- CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术研究被引量：3
- 2020年
- 太空环境中的电离辐射会导致CMOS图像传感器性能退化,甚至造成永久性损毁。文章对CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术进行了研究,从版图设计、电路设计等方面提出相应的抗辐射策略,并进行了总剂量和单粒子试验。试验结果表明,采用抗辐射加固技术设计制作的CMOS图像传感器具备抗总剂量和单粒子辐射能力,当总剂量达到100krad(Si)、单粒子辐射总注量达到1×10^7 p/cm^2时,器件的关键指标变化符合预期要求。
- 吕玉冰吴琼瑶刘昌举李明周亚军刘戈扬
- 关键词：CMOS图像传感器总剂量效应单粒子
- CCD片上放大器直流输出电压影响因素分析
- 2013年
- 对电荷耦合器件(CCD)片上放大器直流输出电压的主要影响因素进行了研究,通过对不同源漏工艺、不同栅下注入剂量工艺条件对直流输出的影响分析,指出有效沟道长度和放大管栅下注入是CCD片上放大器直流输出电压的主要影响因素。
- 韩恒利汪凌唐利吕玉冰廖乃镘
- 关键词：CCD
- 试验设计方法在超声楔形焊工艺优化中的应用被引量：1
- 2013年
- 采用实验设计方法对超声楔形焊引线键合工艺进行实验设计,研究了超声功率、键合压力和键合时间对键合强度的影响,得到了拟合程度好的统计模型和优化后的超声楔形焊工艺参数。在最优的工艺条件下,键合质量得到了提高。
- 程顺昌王晓强吕玉冰谷顺虎
- 关键词：统计模型
- 823×592元内线转移CCD图像传感器
- 2015年
- 采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制。该器件水平驱动频率可达30MHz,峰值响应波长位于550nm,动态范围62.6dB。
- 杨洪雷仁方郑渝吕玉冰翁雪涛
- 关键词：光电特性
- 一种内线转移可见光CCD光电特性模拟分析被引量：1
- 2014年
- 运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对内线转移可见光CCD积分过程、读出过程光敏区域电势变化规律进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟内线转移CCD器件的仿真模型;对影响器件电荷容量、抗晕性能的纵向抗晕p阱浓度、结深进行了模拟分析,得出p阱浓度应控制在（2.5～5.5）×1016 cm-3,结深应控制在5.5～6.5μm的结论。
- 杨洪李立吕玉冰白雪平
- 关键词：光电特性数值模拟
- 一种内线转移可见光CCD弥散特性的模拟分析
- 2016年
- 运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析。结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450~550keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600keV,剂量控制在4.0×10^(12)~8.0×10^(12) cm^(-2),器件弥散特性最佳。
- 杨洪翁雪涛李立白雪平吕玉冰
- 关键词：弥散特性数值模拟
- 总剂量辐照效应模型在TDI-CCD器件中的应用
- 2014年
- 介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型,研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用,并通过不同剂量60Coγ辐照试验,验证了该模型在TDI-CCD器件抗辐射加固设计中的应用价值。
- 吕玉冰王颖汪朝敏李金刘昌林
- 基于4T结构的高灵敏度CMOS图像传感器设计
- 2013年
- 基于0.35μm工艺,设计了应用于低光照环境下的低噪声、高灵敏度CMOS图像传感器。该图像传感器采用PPD 4T像素结构,像素阵列512×512,包含列级运放、水平移位寄存器、逻辑控制单元、单斜率模数转换器和偏置电路等模块。通过采用低噪声PPD 4T像素结构、低噪声列级放大器电路结构,以及对版图的优化设计等措施实现了低噪声、高灵敏度的CMOS图像传感器设计。
- 刘昌举吴治军祝晓笑熊平吕玉冰
- 关键词：CMOS图像传感器低噪声
- 基于CCD工艺提取MOS模型的电路验证
- 2012年
- 对基于CCD工艺提取的BSIM3v3模型,在CCD片上放大器电路上进行了验证,通过在直流、瞬态和交流条件下对比电路的仿真数据和实际测试数据,验证了该模型,即提取的模型能够满足电路模拟的要求。
- 吕玉冰祝晓笑翁雪涛岳志强苏玉棉
- 关键词：CCD模型参数提取
