郑环
- 作品数：7 被引量：14H指数：3
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金国家中长期科技发展规划重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法
- 本发明涉及一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计硅溶胶1—5％，乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)0.5‑5％，过氧化氢0.5‑4％，非离子界表面活性剂0.1‑10％，去离子水余...
- 王辰伟刘玉岭郑环周建伟高宝红
- 文献传递
- H_2O_2基电解液的pH值对铜钌电偶腐蚀的影响被引量：3
- 2016年
- 研究了电解液pH值对Cu和Ru电偶腐蚀的影响,并对其控制机理进行深入的研究。选取H_2O_2作为Cu和Ru电化学电解液中的氧化剂和腐蚀剂,选用HCl和KOH溶液作为pH调节剂,采用动电位扫描这种电化学技术,表征金属铜钌表面的电化学反应。实验结果表明:在pH值低于7时,Ru在电解液中逐渐生成不溶的RuO_2·2H_2O和RuO_3,Cu仅发生腐蚀反应。在Cu和Ru的电偶腐蚀中,Cu作为阳极而加速溶解,影响器件的可靠性。在pH值高于7时,Ru可生成可溶的过钌酸盐,Cu表面含有一层致密的氧化层。在Cu和Ru电偶腐蚀中,Ru作为阳极而加速溶解,Cu得到了保护。在pH值为9时,Cu和Ru的腐蚀电位差最小为5 mV,因此在弱碱性阻挡层抛光液中可减少Cu和Ru之间的腐蚀电位差,有效抑制Cu和Ru之间电偶腐蚀现象的产生。
- 张乐周建伟刘玉岭王辰伟郑环
- 关键词：钌铜电化学电偶腐蚀PH
- 超精度石英玻璃的化学机械抛光被引量：9
- 2017年
- 在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的石英玻璃(99.99%)进行化学机械抛光(CMP)实验。分别研究了磨料质量分数(4%,8%,12%,16%,20%)、FA/OⅠ型螯合剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)和FA/O型活性剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)对石英玻璃化学机械抛光去除速率的影响。实验结果表明:随着磨料质量分数增加,石英玻璃去除速率明显提高,从11 nm/min提升到97.9 nm/min,同时表面粗糙度(Ra)逐渐降低,从2.950 nm降低到0.265 nm;FA/OⅠ型螯合剂通过化学作用对去除速率有一定的提高,Ra也有一定程度的减小,能够降低到0.215 nm;FA/O型活性剂的加入会导致去除速率有所降低,但是能够使Ra进一步降低至0.126 nm。最终在磨料、FA/OⅠ型螯合剂、FA/O型活性剂的协同作用下,石英玻璃去除速率达到93.4 nm/min,Ra达到0.126 nm,远小于目前行业水平的0.9 nm。
- 王仲杰王胜利王辰伟张文倩郑环
- 关键词：集成电路石英玻璃表面粗糙度去除速率
- 不同pH值下过氧化氢对Ru的CMP的影响被引量：4
- 2017年
- 研究了以H_2O_2为氧化剂,不同的pH值(2,4,6,8,10)对Ru的去除速率(vRu)和静态腐蚀速率(vSER)的影响,同时用电化学的方法研究了H_2O_2和pH值对Ru表面的动态极化曲线的影响,利用原子力显微镜对每次抛光前后的微观形貌进行了观察。实验结果表明:随着pH值的逐渐增大,Ru的去除速率和静态腐蚀速率也会随之升高,碱性条件下的vRu和vSER明显高于酸性条件。当pH值为2时,Ru表面生成致密的钝化层,阻碍了化学作用,vRu(0.31 nm/min)和vSER(0nm/min)最低;当pH值为4和6时,会生成可溶性的RuO_4,提高了化学作用,vRu和vSER相对提高;当pH值为8和10时,生成RuO_4^(2-)和RuO_4^-化学作用明显,vRu和vSER显著提高;当pH值为10时,vRu(23.544 nm/min)和vSER(2.88 nm/min)最高。同时,随着pH值的逐渐增大,Ru表面的腐蚀电位(Ecorr)不断减小,腐蚀电流密度(Icorr)不断增大,当pH值为10时,Ecorr达到最低值(0.094 V),Icorr为最高值(1.37×10^(-3)A/cm^(-2))。
- 郑环周建伟刘玉岭王辰伟张乐王仲杰
- 关键词：阻挡层RU
- NaClO和FA/OⅠ螯合剂对Ru和Cu的CMP影响被引量：1
- 2017年
- 钌作为下一代14 nm超大规模集成电路阻挡层新材料,有着重要的研究意义,然而对阻挡层进行化学机械抛光时,由于Ru和Cu的化学性质与硬度均不相同,Ru和Cu很难达到适合的速率选择比。研究了在以NaClO为氧化剂时,磨料质量分数、pH值、NaClO溶液体积分数、FA/OⅠ螯合剂体积分数以及抗蚀剂BTA对Ru化学机械抛光的影响,同时研究了NaClO和FA/OⅠ螯合剂的协同作用对Ru和Cu的去除速率和电偶腐蚀的影响。实验结果表明,以NaClO为氧化剂时,随着pH值升高,Ru去除速率和静态腐蚀速率均随之升高,NaClO能够大幅度提高Ru和Cu的去除速率,FA/OⅠ螯合剂的加入能够小范围提高Ru和Cu的去除速率,同时FA/OⅠ螯合剂可以减缓Ru和Cu之间的电偶腐蚀,最终通过调节抗蚀剂的质量浓度,可以实现Ru和Cu速率可控,达到合适的速率选择比。
- 郑环周建伟王辰伟张乐王仲杰杜义琛
- 关键词：RU
- 一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法
- 本发明涉及一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计硅溶胶1—5％，乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)0.5‑5％，过氧化氢0.5‑4％，非离子界表面活性剂0.1‑10％，去离子水余...
- 王辰伟刘玉岭郑环周建伟高宝红
- 文献传递
- GLSI铜布线新型阻挡层Ru和Cu的CMP速率选择比研究
- 随着集成电路技术的不断发展,特征尺寸(MOS管栅极距离)不断降低,制备技术不断面临着新的挑战。当技术节点发展到14nm以下时,传统的阻挡层材料钽/氮化钽(Ta/TaN)会致使信号在铜(Cu)互连线的传输速度较低,延迟较大...
- 郑环
- 关键词：阻挡层
- 文献传递
