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郑明阳

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:北京航空航天大学更多>>

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇铁磁
  • 2篇电极
  • 2篇隧穿
  • 2篇隧穿电流
  • 2篇铁磁层
  • 2篇自旋
  • 2篇喹啉
  • 2篇钴铁
  • 2篇羟基
  • 2篇羟基喹啉
  • 2篇误码
  • 2篇误码率
  • 2篇码率
  • 2篇光调控
  • 2篇光写入
  • 2篇非易失性
  • 2篇比特
  • 2篇比特误码率
  • 2篇磁存储
  • 2篇磁存储器

机构

  • 4篇北京航空航天...

作者

  • 4篇江雷
  • 4篇孙艳明
  • 4篇林晓阳
  • 4篇郑明阳

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种基于光调控的有机自旋存储单元
一种基于光调控的有机自旋存储单元,该存储单元的结构由下至上依次为垂直堆叠的底端电极、铁磁金属层一、有机非铁磁层、铁磁金属层二、顶端电极;所述底端电极,包括金、铂、铜或其他非铁磁金属材料中的一种或多种;所述铁磁金属层一,包...
赵巍胜林晓阳郑明阳孙艳明江雷
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一种基于光调控的有机自旋存储单元
一种基于光调控的有机自旋存储单元,该存储单元的结构由下至上依次为垂直堆叠的底端电极、铁磁金属层一、有机非铁磁层、铁磁金属层二、顶端电极;所述底端电极,包括金、铂、铜或其他非铁磁金属材料中的一种或多种;所述铁磁金属层一,包...
赵巍胜林晓阳郑明阳孙艳明江雷
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一种光写入的非易失性磁存储器
本发明涉及一种光写入的非易失性磁存储器,由光源控制模块、磁隧道结、读写控制电路构成;光源控制模块由字线、位线、光源点阵构成,点阵与磁隧道结阵列一一对应,通过字线和位线可以控制点阵任意点光源的状态,完成对单个磁隧道结存储状...
赵巍胜林晓阳郑明阳斯志仲孙艳明江雷
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一种光写入的非易失性磁存储器
本发明涉及一种光写入的非易失性磁存储器,由光源控制模块、磁隧道结、读写控制电路构成;光源控制模块由字线、位线、光源点阵构成,点阵与磁隧道结阵列一一对应,通过字线和位线可以控制点阵任意点光源的状态,完成对单个磁隧道结存储状...
赵巍胜林晓阳郑明阳斯志仲孙艳明江雷
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共1页<1>
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