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文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇理学

主题

  • 4篇前驱体
  • 2篇氮化合物
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇有机半导体
  • 2篇有机场效应晶...
  • 2篇载气
  • 2篇偶氮
  • 2篇偶氮化合物
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇化合物
  • 2篇芳基
  • 2篇半导体
  • 2篇SUB
  • 2篇FES
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇电极
  • 1篇原子层沉积
  • 1篇气相

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇王新炜
  • 5篇邵友东
  • 3篇高源鸿
  • 2篇孟鸿
  • 1篇潘锋
  • 1篇苏彦涛
  • 1篇李豪

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
FeS<Sub>x</Sub>薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法
本发明公开FeS<Sub>x</Sub>薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法,沉积方法包括步骤:将铁前驱体和硫前驱体送入放有基底的沉积腔室中,沉积腔室温度设定为20~400℃,进行FeS<Sub>x</Sub>薄膜的...
王新炜国政邵友东
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FeS<Sub>x</Sub>薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法
本发明公开FeS<Sub>x</Sub>薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法,沉积方法包括步骤:将铁前驱体和硫前驱体送入放有基底的沉积腔室中,沉积腔室温度设定为20~400℃,进行FeS<Sub>x</Sub>薄膜的...
王新炜国政邵友东
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沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法
本发明公开沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法。沉积方法包括步骤:A、将待处理的有机半导体装入气相原子层沉积装置的真空反应腔体;B、对真空反应腔体进行抽真空,维持真空反应腔体跟外部空气环境的有效隔离,并维持...
王新炜高源鸿邵友东孟鸿
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沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法
本发明公开沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法。沉积方法包括步骤:A、将待处理的有机半导体装入气相原子层沉积装置的真空反应腔体;B、对真空反应腔体进行抽真空,维持真空反应腔体跟外部空气环境的有效隔离,并维持...
王新炜高源鸿邵友东孟鸿
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一种用于电极粉体材料包覆的气相原子层沉积装置及应用
本申请公开了一种用于电极粉体材料包覆的气相原子层沉积装置和电极粉体材料包覆的方法。本申请的气相原子层沉积装置,包括真空反应腔体和监控系统,真空反应腔体中设置有搅拌装置,搅拌装置与监控系统电连接或信号连接,通过监控系统控制...
苏彦涛王新炜潘锋邵友东李豪高源鸿
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共1页<1>
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