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稀土掺杂YPO_4纳米上转换发光材料的制备及表征被引量：3: 2015年; 借助水热法,以氯化钇、柠檬酸钠、磷酸钠为基本原料合成了YPO_4纳米颗粒,然后通过掺杂Er^(3+)、Yb^(3+)、Tm^(3+)稀土离子获得上转换发光性能.实验研究了反应温度、反应时间、掺杂比和烧结温度对样品发光性能的影响,获得了在红外激发下,可以发出暖白光的稀土上转换纳米发光材料.; 丁楠海静朱永胜刘旭焱; 关键词：上转换发光稀土掺杂

一种大功率LED用陶瓷覆铜板的低温制备方法: 本发明公开了一种大功率LED用陶瓷覆铜板的低温制备方法，包括以下步骤：步骤1、利用化学镀铜法在陶瓷基片表面进行镀铜，得到陶瓷镀铜片；步骤2、在保护气氛下对陶瓷镀铜片进行退火处理；步骤3、利用铜铜键合法将经过退火处理的陶瓷...; 刘旭焱屈重年海静李果张聪正; 文献传递

一种陶瓷覆铜板焊接用精确定位工装: 本实用新型涉及焊接定位技术领域，具体为一种陶瓷覆铜板焊接用精确定位工装，包括工作台，所述工作台的内部固定连接有连接底座，所述连接底座的一侧转动连接有转动齿轮，所述转动齿轮的内部固定连接有螺纹转杆，所述螺纹转杆的表面转动连...; 刘旭焱海静屈重年

纳米尺寸高k/Si_(1-x)Ge_x NMOS场效应管性能的数值模拟研究: 2015年; 本文展开了高介电常数(k)栅介质Si_(1-x)Ge_x NMOS场效应管性能的数值模拟研究,基于有限元法,建立了纳米尺寸(栅长=15 nm)NMOS场效应管模型。为了研究栅介质和衬底材料参数变化对器件性能的影响规律,利用数值分析手段,在衬底Si_(1-x)Ge_x中Ge组分x从0到1变化区间,选取不同介电常数的栅介质,且其厚度在一定范围内变化时,综合分析了纳米尺寸NMOS场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线。分析表明,在栅介质的k值和厚度一定时,随着衬底中Ge组分x从0逐渐增大增加,器件阈值电压持续减小,直到x为85%时突然变大,而在Ge组分继续增大时,阈值电压又维持减小趋势。为了尽量避免隧穿效应,研究了高k栅介质厚度高于5 nm时的器件特性,结果表明,随着栅介质厚度的减小,器件阈值电压减小,驱动电流则持续增大。; 刘旭焱刘赐德屈重年海静卢志文黄志祥; 关键词：硅锗合金高介电常数阈值电压

一种自动化捣臼式艾绒加工装置: 本实用新型公开了一种自动化捣臼式艾绒加工装置，包括底座，所述底座的内部中空，所述底座的内部安装有主控器和旋转电机，所述底座的上侧安装有移动装置、动力装置和支撑板，并且移动装置的底部与旋转电机的输出轴连接，所述支撑板上开设...; 刘旭焱屈重年海静郭韶华秦怡; 文献传递

艾烟自净化随身灸具: 本实用新型公开了艾烟自净化随身灸具，包括底板，所述底板的顶部设置有罩盖，所述底板的顶部固定连接有放置盒，且放置盒位于罩盖的内腔，所述罩盖内腔的顶部固定连接有壳体，所述壳体的底部延伸位于放置盒的内腔，所述壳体的底部贯穿设有...; 刘旭焱海静海涛屈重年秦怡; 文献传递

一种陶瓷覆铜板用自动冲压装置: 本实用新型涉及冲压技术领域，具体为一种陶瓷覆铜板用自动冲压装置，包括冲压台，所述冲压台的内部通过螺栓固定连接有电动推杆，所述电动推杆的输出端卡接有连接滑板，所述连接滑板的顶部固定连接有滑动齿块，所述滑动齿块的内部固定连接...; 刘旭焱海静屈重年; 文献传递

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海静