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李毅: 作品数：25 被引量：14H指数：2; 供职机构：南通大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏省产学研联合创新资金项目南通市科技计划项目更多>>; 相关领域：电子电信理学文化科学金属学及工艺更多>>

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基于Linux的即时通信系统设计被引量：2: 2020年; 随着计算机和互联网技术的飞速发展,即时通信软件逐渐成为最主流的通信方式。Linux系统作为一款开源的类Unix操作系统,已经越来越普及。Linux平台下的通信系统数量较少、功能有限,且大多不开源。针对上述问题,设计了一个基于Linux平台的即时通信系统。该系统使用C语言进行程序的编写,采用基于TCP协议的C/S架构进行通信,使用SQLite3数据库存储用户信息。在Red Hat操作系统环境下进行功能测试,测试结果表明,本系统完全满足通信需求,实现了预期的功能,而且系统运行稳定,具有一定的实用性。; 涂笑语王美玉李毅朱友华; 关键词：网络编程即时通信 C/S架构

一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管: 本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有Inx</...; 李毅钱星鹏朱友华王美玉

4-inch蓝宝石图形衬底上GaN基白光LED制备及表征: 2020年; 在4-inch蓝宝石图形衬底上,基于InGaN/GaN多量子阱结构制备了蓝光LED芯片,并通过与钇铝石榴石黄色荧光粉(YAG∶Ce3+)结合,封装成白光LED器件。简要介绍了外延生长和芯片工艺及封装流程,并对材料特性及器件性能进行了表征。外延片表面形貌良好,蓝光外延片荧光光谱(PL)显示峰值波长为442 nm。对封装后白光芯片进行电学特性测试,得出其开启与限流电压分别为2.7 V与3.6 V。此外,电致发光光谱(EL)含有两个主要的发光峰,分别是440 nm的蓝光峰以及540 nm的黄绿光峰,而随着注入电流的增加,蓝光峰位先蓝移后红移,黄绿光峰位先红移后蓝移再红移。本文中相关的芯片制备及表征技术将对固态照明研究起到一定的促进作用。; 朱友华刘轩王美玉李毅; 关键词：GAN YAG荧光粉白光LED

基于DBR结构的蓝光及白光GaN LED的制备及光学性能改善: 2023年; 为改善GaN基发光二极管(LED)的光学性能,设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO_(2)/Ti3O5分布式布拉格反射镜(DBR)结构的蓝光和白光GaN LED。制备了具有不同周期数的DBR结构,其中,17周期DBR结构在400~660 nm波长内平均反射率超过99.3%,其反射带宽度达到231 nm。测试并比较了封装后的基于DBR结构的LED芯片的电学与光学特性。通过电流-光输出功率(I-L)特性测试,发现具有17周期DBR结构的蓝光LED的光输出功率比5周期的提升了6.7%,而白光LED的光输出功率则提升了9.7%。在约100 mA的直流注入电流下,蓝光和白光LED的最大光输出功率分别达到134.9 mW和108.4 mW。; 胡涛朱友华钟岱山王美玉李毅; 关键词：离子辅助沉积光输出功率

一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管: 本发明公开了一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管，至少包含：n型半导体层、由势垒层和耦合AlGaN阱层周期交叠构成的多量子阱结构、p型半导体层，其特征在于：所述耦合AlGaN阱层至少包括三层结构，从下到上依次为...; 李毅朱友华王美玉胡涛葛梅; 文献传递

终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响被引量：1: 2021年; 为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD。基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(L_(FP))和绝缘层厚度(T_(FP))及GaN漂移区掺杂浓度(N_(D))条件下仿真了器件的击穿电压,通过器件表面电场分布情况确认了BV的变化趋势。结果表明:当T_(FP)=0.3μm,N_(D)=1×10^(16)cm^(-3),L_(FP)从0增加到2.0μm时,SBD的BV逐渐升高,在L_(FP)=1.6μm时达到阈值;当L_(FP)=1.6μm,N_(D)=1×10^(16)cm^(-3),T_(FP)从0.1μm增加到0.4μm,SBD的BV先上升后减小,在T_(FP)=0.3μm时达到最大值;当L_(FP)=1.6μm,T_(FP)=0.3μm,N_(D)从1×10^(16)cm^(-3)增加到1×10^(19)cm^(-3)时,SBD的BV逐渐减小。相比于传统无场板型GaN-SBD,该终端场板型GaN-SBD的BV在L_(FP)=1.6μm,T_(FP)=0.3μm,N_(D)=1×10^(16)cm^(-3)的条件下可达到840 V。研究进一步表明:通过优化器件结构,其场板效应可延伸至阳极下方的耗尽区,有效减缓了阳极边角处的电流拥挤。; 朱友华薛海峰王美玉李毅; 关键词：场板结构氮化镓肖特基势垒二极管击穿电压

“5S”管理在电子信息类实验室管理中的应用: 2020年; 实验是培养学生实践能力的重要组成部分,是高校培养人才,提高学生综合能力的关键环节。实验室的优良环境需要实验室管理教师和学生们的共同维护和创造。通过"5S"管理方法在南通大学信息科学技术学院电子信息类实验室管理中的应用,改善了实验室的环境,培养了学生良好的职业素养,提高了学习科研的效率,为学院的教学科研提供了更好的服务。; 朱友华王美玉李毅施敏许鹏许小梅; 关键词：实验室管理仪器

阶梯状量子阱结构对蓝光GaN基LED性能的改善被引量：7: 2019年; 由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱结构存在极化效应导致能带倾斜,极大地影响了LED的辐射复合效率。采用阶梯状量子阱的结构来改善LED的发光特性,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统在4英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上外延生长了3种不同量子阱结构的样品,并对其进行材料结构与器件性能的表征。实验结果表明, In组分减小的阶梯状量子阱样品相对于传统量子阱结构,其在电致发光(EL)谱中蓝移现象几乎消失;同时在注入电流为140 mA时,其发光功率以及外量子效率分别提高3.8%和5.1%。此外,Silvaco Atlas软件的仿真结果显示了该样品的量子阱中具有更高的空穴浓度与辐射复合效率。; 刘轩王美玉李毅朱友华; 关键词：GAN 发光二极管(LED)

一种氮化物量子阱结构发光二极管: 本发明氮化物量子阱结构发光二极管，由下至上依次包括：N型氮化物半导体、量子阱和P型氮化物半导体，量子阱为多量子阱结构，由垒层与阱层交叠构成，阱层由下至上包含有AlxGa1‑xN...; 李毅朱友华刘轩王美玉

一种金属刻槽方法: 本发明涉及一种金属刻槽方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述...; 朱友华秦佳明刘轩李毅王美玉; 文献传递