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武自录
作品数:
7
被引量:2
H指数:1
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西安交通大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
罗晋生
西安交通大学电子与信息工程学院...
李文宏
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西安交通大学
王梅蓉
陕西省艺术师范学校西安7106...
唐本奇
西安交通大学
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高压JTE终端边界元电场分析
1998年
在半导体高压终端研究中,重要的工作之一是终端电场电位分析。国内外以往报道的JTE分析结果除采用解析方法外,数值方法主要采用差分或有限元法。作者利用边界元数值技术,采用“边界元临界电场分析法”,用自主开发的统一的边界元终端分析软件,从新的角度,以单区、双区JTE为例,详细讨论了新的边界元分析法,研究了极值电场分布等情况,得到了物理概念清晰,描述较准确而又简明直观的优化结果。边界元算法独特,优点显著。现有程序不但可用于JTE终端优化分析设计,还可直接用于场板、JTE加场板等终端结构场分析。
梁苏军
唐本奇
武自录
罗晋生
关键词:
边界元
结终端技术
高压功率器件
FP-FLR结终端结构的模拟分析
被引量:1
1999年
用边界元素法开发成功了高压结终端通用模拟器BREAK,利用该软件对浮置金属场板与浮置场限环的复合终端结构进行了仿真计算,并与用TMAMEDICI4.0的仿真结果进行了比较,仿真结果与实验符合较好。
武自录
李文宏
梁苏军
罗晋生
关键词:
场板
功率器件
半导体器件
边界元法用于高压结终端技术研究
高压结终端结构的优化设计,在电力电子器件及功率IC的设计中占有重要地位.该文在国家自然科学基金课题"电力电子器件高压终端界元新方法的研究"资助下,开发了一种应用边界元法对复杂高压终端结构进行分析的二维模拟通用程序.在程序...
武自录
关键词:
边界元法
半导体器件
结终端技术
FP-JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响
1998年
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了下FP-JTE终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响,结果表明击穿电压与注入剂量呈线性关系,场板可减弱击穿电压对注入剂量的敏感性.
武自录
王行业
罗晋生
关键词:
场板
击穿电压
FP-JTE 平面结终端的特性分析
1998年
采用边界元法对非穿通情况FPJTE结构的特性进行了分析计算,发现击穿电压与注入剂量及界面电荷呈线性关系,场板对界面电荷敏感性有抑制作用。
武自录
高玉民
梁苏军
罗晋生
关键词:
半导体器件
用边界元素法模拟FP-JTE终端结构
被引量:1
1999年
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了界面电荷对FPJTE终端结构击穿电压的影响,结果表明击穿电压几乎与界面电荷浓度呈线性关系。
武自录
罗晋生
关键词:
边界元
场板
集成电路
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