胡培培
- 作品数：9 被引量：16H指数：1
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术核科学技术更多>>
- 重离子在SiC,GaN,Ga_(2)O_(3)宽禁带半导体材料及器件中的辐照效应研究被引量：1
- 2022年
- 针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了SiC,GaN,Ga_(2)O_(3)材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,但SiC器件在高压工作条件下易发生重离子单粒子效应;GaN材料有较好的抗低能重离子辐照特性,但对快重离子辐照,易发生辐照损伤,影响GaN器件性能;Ga_(2)O_(3)材料快重离子辐照下易发生结构损伤,影响Ga_(2)O_(3)器件性能。同时着重阐述了SiC器件重离子辐照响应特性与失效机理,以及GaN器件电学性能退化与材料结构损伤之间关系。
- 闫晓宇胡培培艾文思翟鹏飞赵培雄李宗臻刘杰
- 关键词：宽禁带半导体SICGAN重离子
- 基于核孔膜的数字电路芯片单粒子翻转甄别系统和方法
- 本发明属于加速器中电路芯片检测技术领域，涉及一种基于核孔膜的数字电路芯片单粒子翻转甄别系统和方法，包括：聚合物膜放置在待测数字电路芯片前；束流发射模块，用于发射束流，束流对聚合物膜和待测数字电路芯片进行辐照，生成核孔膜；...
- 叶兵胡培培翟鹏飞刘杰孙友梅
- 纳米器件空间辐射效应机理和模拟试验技术研究进展被引量：14
- 2018年
- 电子器件空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素之一,一直是国际上抗辐射加固技术领域研究的热点和难点.高可靠、高集成度、高性能、低功耗、低成本是未来新一代先进电子系统发展的必然要求,采用更高性能的抗辐射加固纳米器件是必然的趋势.本文在深入调研国内外研究现状的基础上,分析了纳米器件辐射效应面临的新问题.纳米工艺存在着很多不同于大尺寸工艺的特点,沟道长度缩小到十几个纳米,栅氧化层等效厚度小于1 nm.在工艺上引入了纵向逆掺杂阱或横向晕环掺杂技术,以降低栅极诱导漏极漏电效应;在材料上引入了多元半导体材料、应变硅、锗硅、高k栅介质、金属栅极等,以降低器件功耗;在结构上引入了三维Fin FET结构,以增强栅的控制能力.这种趋于物理极限的工艺特点、新材料和新结构的采用产生了许多新的辐射效应现象和机制,模拟试验技术更加复杂,给抗辐射加固技术研究带来了新的挑战.本文综述了纳米器件辐射效应的研究现状和趋势,重点针对28 nm及以下特征工艺纳米器件辐射效应研究及模拟试验的需求,提出了需要研究的科学问题和关键技术,希望能为纳米器件抗辐射加固与空间应用提供参考.
- 陈伟刘杰马晓华郭刚赵元富郭晓强罗尹虹姚志斌丁李利王晨辉陈荣梅何宝平何宝平赵雯张凤祁马武英翟鹏飞王祖军刘天奇郭红霞刘建德杨海亮胡培培丛培天
- 关键词：抗辐射加固
- 荷能重离子辐照引起GaN晶体结构损伤效应的研究
- GaN材料是典型的宽禁带半导体材料,击穿场强大,热导率高,导热性好,主要应用于高温、高压、辐射等极端条件下.GaN材料是电子器件及光电器件发展的基础,其辐照效应的研究对新型材料半导体器件的抗辐照加固具有重大的指导意义.荷...
- 胡培培刘杰张胜霞曾健翟鹏飞段敬来孙友梅吴杨
- 关键词：GAN快重离子高电荷态离子蓝移
- 快重离子辐照对MoS_2热导率的影响研究
- 2017年
- 利用0.97 GeV的209Bi离子辐照二硫化钼(MoS_2)晶体,辐照注量范围为1×1010～1×1012ions/cm^2,结合原子力显微镜(AFM)观测和Raman光谱分析研究了快重离子辐照对MoS_2热导率的影响。实验结果显示,快重离子辐照在MoS_2中产生了潜径迹,较高激光功率下的Raman测试使样品局部温度升高,导致E12g和A1g峰随注量增加向低波数方向移动,且峰形展宽。引入了通过改变激光功率测量Raman光谱得到MoS_2热导率的计算方法,获得了不同辐照注量下MoS_2的热导率的定量分析结果,随注量增加,热导率不断降低,从未辐照样品的563 W/m K下降到1×1012ions/cm^2辐照时的132 W/mK。
- 郭航孙友梅刘杰翟鹏飞曾健张胜霞胡培培段敬来姚会军莫丹侯明东
- 关键词：二硫化钼辐照热导率
- 快重离子辐照对YBa2Cu3O7–δ薄膜微观结构及载流特性的影响被引量：1
- 2020年
- 钇钡铜氧(YBCO)高温超导材料在能源、交通等方面具有广泛的应用前景,然而强磁场下出现的低临界电流密度问题严重限制了其应用.利用快重离子辐照技术可在YBCO中形成潜径迹对磁通涡旋进行钉扎,从而有效改善其在磁场下的超导性能.本文利用能量为1.9 GeV的Ta离子对YBCO高温超导薄膜进行辐照,系统地研究了不同离子注量下YBCO薄膜的微观结构及磁场下电流传输特性的变化情况.研究表明,Ta离子辐照在薄膜中沿入射路径方向产生贯穿整个超导层的一维非晶潜径迹,其直径在5 nm到15 nm之间.结合Higuchi模型分析了快重离子辐照对薄膜中磁通钉扎机制的影响.研究发现:在原始样品中本征面缺陷钉扎是主要的钉扎机制;随着辐照注量的增加,薄膜中的钉扎类型逐渐转变为由快重离子辐照引入的正常相缺陷钉扎.临界电流密度与磁场的关系可用函数Jc∝B?α 进行拟合.指数α随着注量的增加而降低,当注量为5.0 × 1011 ions/cm2时已由最初的0.784降低至0.375,说明临界电流密度对磁场的依赖关系大大减弱.当辐照注量为8.0 × 1010 ions/cm2时,潜径迹对磁通涡旋的钉扎效果最佳.在该注量下,高场(B > 0.3 T)下临界电流密度达到最大值且钉扎力提升了近两倍,临界转变温度无明显变化(△Ton ≈ 0.5 K).实验结果表明,快重离子辐照产生的潜径迹可以在不影响临界转变温度的前提下有效改善磁场下超导载流能力.
- 刘丽刘杰曾健曾健张胜霞翟鹏飞胡培培张胜霞艾文思
- 关键词：快重离子辐照钉扎
- 一种质子束流均匀度探测方法和系统
- 本发明涉及一种质子束流均匀度探测方法和系统，包括：测试板，其内设置有探测区、继电器区和主控FPGA，探测区内设置有与待测束斑形状面积相匹配的SiC功率器件平面阵列，继电器区内设置有继电器阵列，主控FPGA用于接收上位机发...
- 翟鹏飞闫晓宇赵培雄胡培培刘杰
- 重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响
- 2024年
- 采用^(181)Ta^(32+)重离子辐射AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,获得器件在重离子辐射前后的电学特性和低频噪声特性.重离子辐射导致器件的阈值电压正向漂移、最大饱和电流减小等电学参数的退化.微光显微测试发现辐射后器件热点数量明显增加,引入更多缺陷.随着辐射注量的增加,电流噪声功率谱密度逐渐增大,在注量为1×10^(10)ions/cm^(2)重离子辐射后,缺陷密度增大到3.19×10^(18)cm^(-3)·eV^(-1),不同栅压下的Hooge参数增大.通过漏极电流噪声归一化功率谱密度随偏置电压的变化分析,发现重离子辐射产生的缺陷会导致寄生串联电阻增大.
- 吕玲邢木涵薛博瑞曹艳荣胡培培郑雪峰马晓华郝跃
- 关键词：重离子辐射氮化镓高电子迁移率晶体管低频噪声
- 基于核孔膜的数字电路芯片单粒子翻转甄别系统和方法
- 本发明属于加速器中电路芯片检测技术领域，涉及一种基于核孔膜的数字电路芯片单粒子翻转甄别系统和方法，包括：聚合物膜放置在待测数字电路芯片前；束流发射模块，用于发射束流，束流对聚合物膜和待测数字电路芯片进行辐照，生成核孔膜；...
- 叶兵胡培培翟鹏飞刘杰孙友梅
