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王志伟

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 6篇光栅
  • 5篇波长
  • 4篇腔面
  • 4篇面发射
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 4篇垂直腔
  • 4篇垂直腔面
  • 4篇垂直腔面发射
  • 3篇亚波长
  • 3篇亚波长光栅
  • 3篇刻蚀
  • 3篇反射镜
  • 2篇导体
  • 2篇电极
  • 2篇氧化物限制
  • 2篇阈值电流

机构

  • 6篇长春理工大学

作者

  • 6篇王志伟
  • 5篇郝永芹
  • 5篇晏长岭
  • 4篇冯源
  • 4篇王霞
  • 3篇刘国军
  • 3篇马晓辉
  • 3篇岳光礼
  • 2篇李杨
  • 2篇王勇
  • 2篇邹永刚
  • 2篇张晶
  • 2篇徐莉
  • 2篇张昕
  • 1篇张昕
  • 1篇李杨
  • 1篇王霞

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器
表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB‑LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD，下电...
郝永芹马晓辉李杨晏长岭徐莉冯源谢检来张昕岳光礼张晶王志伟王霞
具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器
具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有VCSEL器件膜层结构过多，阈值电流较高。本发明其特征在于，高折射率导电基底位于氧化物限制层上面；器件的一个制作步骤为：在高折射率导电基底上...
郝永芹谢检来王勇冯源晏长岭邹永刚刘国军王霞王志伟
文献传递
2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜的设计被引量：2
2017年
研究了一种2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2μm的TM模式,反射镜具有大宽带和极高的反射率,反射带宽与中心波长之比大于26%(反射率大于99%),波长为1.895~2.08μm时,反射率达到99.9%以上,带宽达185nm,同时TE模的反射率低于垂直腔面发射半导体激光器的激射条件(反射率小于95%)。该结构的各个参数所允许的制作容差较大,有利于在垂直腔面发射半导体激光器上的单片集成。
谢检来郝永芹王志伟王霞晏长岭刘国军马晓辉李杨岳光礼张昕
关键词：光栅反射镜垂直腔面发射激光器锑化镓
VCSEL中亚波长光栅反射镜的制备技术研究
亚波长光栅独特的衍射特性使其被广泛应用于各种光学系统中。尤其近年来，亚波长光栅在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的应用日益受到关注。为了提高面发射激光器的质量，降低制作难度，改善输出特性，可在VCSEL上集成一种高对比...
王志伟
关键词：垂直腔面发射激光器亚波长光栅化学气相沉积全息光刻干法刻蚀
具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器
具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有VCSEL器件膜层结构过多，阈值电流较高。本发明其特征在于，高折射率导电基底位于氧化物限制层上面；器件的一个制作步骤为：在高折射率导电基底上...
郝永芹谢检来王勇冯源晏长岭邹永刚刘国军王霞王志伟
表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器
表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB‑LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD，下电...
郝永芹马晓辉李杨晏长岭徐莉冯源谢检来张昕岳光礼张晶王志伟王霞
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