陈雷雷
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：教育部更多>>
- 发文基金：江苏省普通高校研究生科研创新计划项目江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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- 自支撑衬底n-GaN肖特基接触的电流输运机制研究
- 2017年
- 在自支撑衬底n-GaN外延片上制备了圆形Ni/Au/n-GaN肖特基接触结构,测量和分析器件的变温电流-电压(I-V)特性,研究了其正向和反向电流的输运机制。结果表明:在正向偏压下,随着温度从300K增加至420K,器件的理想因子由1.8减小至1.2,表明在高温下复合机制逐渐被热发射机制替代;在反向小偏压下,漏电流表现显著的温度和电压依赖特性,且ln(I)-E^(1/2)数据满足较好线性规律,这表明肖特基效应的电子热发射机制应占主导;而在更高的反向偏压下,电流逐渐变成温度的弱函数,且数据遵循ln(I/E^2)-1/E线性依赖关系,该行为与Fowler-Nordheim隧穿特性一致。
- 牟文杰赵琳娜翟阳朱培敏陈雷雷闫大为顾晓峰
- 关键词：肖特基二极管肖特基效应
