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刘亚莹

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇外量子效率
  • 1篇量子效率
  • 1篇极化效应
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇GAN基LE...
  • 1篇INGAN

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇张荣
  • 1篇陈鹏
  • 1篇郑有炓
  • 1篇施毅
  • 1篇刘亚莹
  • 1篇高鹏
  • 1篇刘梦涵

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响
2017年
主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进一步研究发现,InGaN基LED的外量子效率在注入电流为50 mA处开始剧烈下降,AlGaInP基LED的外量子效率在100 mA处才开始缓慢下降,并且两者呈现不同的下降规律。通过与模拟结果对比发现,InGaN基LED的效率在下降开始阶段与俄歇复合引起的效率下降规律类似。以上实验结果表明,InGaN基LED器件中存在极化电场,且该极化电场会对LED器件的效率衰减产生促进作用。
刘亚莹蒋府龙刘梦涵方华杰高鹏陈鹏施毅张荣郑有炓
关键词：INGAN电致发光极化效应
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