吴丽娟
- 作品数：13 被引量：17H指数：3
- 供职机构：长沙理工大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：湖南省普通高等学校教学改革研究项目湖南省学位与研究生教育教学改革研究项目更多>>
- 相关领域：文化科学电子电信交通运输工程更多>>
- 电子类研究生科研创新项目能力培养的研究
- 2019年
- 为加强电子类研究生科研创新能力的培养,鼓励在校研究生积极承担创新性研究课题,开展高水平的科学研究工作,全面提高研究生培养质量。本文基于对研究生主持科研创新项目的前提条件,以及前期科研能力的培养锻炼,对电子类研究生主持科研创新项目能力培养展开了深入研究。
- 吴丽娟丁启林黄也陈家祺邹望辉白创蒋琳嫒
- 关键词：科研创新能力研究生培养质量
- 《微电子器件基础》课程教学探索
- 2017年
- 本文针对《微电子器件基础》课程的特点,依据在电子科学与技术专业《微电子器件基础》课程教学活动中的感受以及目前国外内相关教学研究文献,分析了《微电子器件基础》课程的目标、教学方法、重点和难点、学业考核方法、课程考试情况,以期达到更好的提高《微电子器件基础》的教学质量的目的。
- 吴丽娟张银艳雷冰宋月袁娜
- 关键词：课程目标教学方法学业考核
- “教学实践”在研究生培养中的重要性探索——电子科学技术类
- 2019年
- 《半导体功率器件》课程专业性太强,而选课的研究生来源又是不同方向,有些更是风马牛不相及。在这种情况下,如何让每个选课的研究生都学有所成,学有所获?在本文中对此进行了有益的探索,分别从教学实践的必要性、实践教学实施前的准备工作、实践教学的具体实施过程、实践教学的效果等方面进行探索、摸索、修正。结果表明,该教学实践取得了良好的效果,培养了各个方向的研究生具有跨学科、交叉学科的创新能力。
- 吴丽娟蒋琳嫒黄也朱琳丁启林陈家祺邹望辉白创
- 集成电路高端设计人才新型培养模式研究被引量：1
- 2018年
- 本文在对集成电路高端设计人才培养现状与特征的分析基础上,提出了新型的"2+1+1"集成电路人才培养模式。通过建立强调精英教育与专业教育的课程体系,加强实践环节深化专业能力培养,采取多元、动态的课程考核方式,建立"双导师"制校企联合学生培养机制等手段,实现集成电路高端设计人才培养的目标。
- 白创唐立军邹望辉谢海情吴丽娟
- 关键词：课程体系
- 面向实践和创新能力培养的“项目驱动+案例引导”课程教学方式方法的改革被引量：7
- 2020年
- 面向本科生实践和创新能力培养,在《嵌入式系统B》专业课程和配套实践课程《嵌入式系统课程设计》教学中实施了“项目驱动+案例引导”的课程教学模式,激发本科生的主动参与性、独立思考性,形成创新思维。
- 唐俊龙禹智文刘远治邹望辉吴丽娟谢海情
- 产学研模式下的集成电路方向研究生创新能力培养模式探索被引量：2
- 2021年
- 该文针对目前国内集成电路人才匮乏的现状,总结现有集成电路方向研究生培养在培养方向、课程体系、实践平台、培养体制与培养方案等方面存在的不足。从培养方案优化、创新能力培养、实践教学模式改革、实践平台共建、构建多维度导师团队和针对性培养人才等方面,探索产学研模式下集成电路人才培养机制的可行策略,并提出了进一步完善集成电路人才培养机制的思路。
- 谢海情王振宇唐俊龙白创邹望辉吴丽娟
- 关键词：产学研模式集成电路
- 基于μCOSⅡ实时操作系统的电子画板的设计
- 2020年
- 基于UCOS-II实时操作系统完成了触摸屏传感器的程序驱动设计、触摸屏与LCD坐标的校准等工作,设计了一款嵌入式系统电子画板.实现人机交互菜单式的用户界面设计,电子菜单选择绘图背景,印花图案,画笔颜色、粗细、形状等参数,RG B调色按钮定义用户需要的画笔颜色,在绘图区域绘出用户需要的图案,书写文字.经过实验调试,电子画板功能完整,用户界面友好,操作简便.
- 唐俊龙刘远治禹智文邹望辉吴丽娟谢海情
- 关键词：嵌入式
- “微电子学”课程教学改革方案
- 2018年
- "微电子学"是电子信息科学与技术专业的一门重要的专业必修课程,各高校都清楚"微电子学"这门课程的重要性,但如果以传统教学方式授课,不能让学生真正掌握其精髓,提高学生的实践能力,从而无法使学生毕业后满足社会对专业人才的需求。因此本论文总结出了"微电子学"教学过程中存在的一系列问题,并针对这些问题提出了教学改革的一些方法和途径。
- 吴丽娟朱琳黄也
- 关键词：微电子学传统教学方式教学改革
- 《天线原理与设计》虚拟仿真实验教学改革研究
- 2020年
- 根据天线技术教学现状和课程自身特点,提出虚拟仿真实验教学改革模式,将仿真软件CST应用到天线的实验教学中,设计偶极子阵列天线、石墨烯贴片天线、微带—八木天线以及介质板加载的喇叭天线等仿真模块。通过图形可视化来增强学习兴趣,提高学生对天线基本工作原理的理解,培养其自主设计一定功能天线的能力,为后续课程或从事微波技术领域的工作打下良好基础。
- 卞立安吴丽娟李彤崔立勇朱华丽
- 关键词：实验教学
- 具有圆形P+区的1200 V SiC JBS二极管的研究
- 2024年
- 【目的】通过改变碳化硅(silicon carbide,SiC)结势垒肖特基二极管(junction barrier Schottky diode,JBS)的P+掺杂区的形状,将常规SiC JBS条形分布的P+掺杂区优化为圆形P+掺杂区,并两两之间以正三角形分布于肖特基接触之间。【方法】通过三维结构有限元仿真方法模拟以上两种SiC JBS结构的正反向特性,优化P+掺杂区宽度和外延层掺杂浓度,并进行对比分析。【结果】仿真结果显示,两种结构的反向击穿电压均高于1500 V,圆形P+掺杂区JBS二极管的正向导通压降比条形P+掺杂区JBS二极管的低:在正向电流密度为400 A/cm^(2)时,导通压降由条形P+结构的2.37 V降低至圆形P+结构的2.05 V,降低了13.5%;圆形P+结构在经过优化外延层掺杂浓度后,其在正向电流密度为400 A/cm^(2)时的导通压降为1.97 V,较条形P+结构的降低了16.9%。相较于条形SiC JBS,圆形P+结构具有更大的肖特基接触面积,在保证击穿电压的同时可以获得更低的导通压降,并通过优化器件的外延层掺杂浓度进一步降低器件的导通压降。【结论】本文将P+掺杂区形状由条形调整为圆形,并以正三角形分布排列。这种调整增大了器件的肖特基接触面积,优化了正向导通特性,并通过优化器件的外延层掺杂浓度进一步提高了导通特性,获得了更低的导通压降。
- 吴丽娟张腾飞张梦源梁嘉辉刘梦姣杨钢
- 关键词：碳化硅导通压降
