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李卫: 作品数：180 被引量：261H指数：9; 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>

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AlSb多晶薄膜的制备及性质被引量：1: 2010年; 用磁控溅射法制备了Al/Sb多层薄膜,通过X射线衍射(XRD)、X射线荧光(XRF)、Hall效应、暗电导率温度关系及透过谱的测试研究了退火前后薄膜的结构和性质。XRD测试结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,而Al则以非晶态形式存在,500℃退火后化合为AlSb多晶,且沿(111)择优取向。Hall效应测试、电导激活能及光能隙的计算结果表明,所制备的AlSb多晶薄膜为P型材料,且载流子浓度为1019cm-3,光能隙为1.64eV,电导率随温度的变化可分为两个过程,在30℃到110℃,薄膜的电导率随温度的增加而缓慢增加,而在110℃到260℃间增加明显,升温电导激活能为0.11eV和0.01eV,这与AlSb多晶薄膜在升温过程中的结构变化有关。将制备的AlSb多晶薄膜应用于TCO/CdS/AlSb/ZnTe:Cu/Au结构的太阳电池器件中,已观察到明显的光伏效应,说明用这种方法制备的AlSb多晶薄膜适于作太阳电池的吸收层。; 贺剑雄武莉莉夏庚培郑家贵冯良桓雷智李卫张静全黎兵; 关键词：ALSB 磁控溅射法退火

大面积CdS薄膜的沉积及其性质研究被引量：2: 2008年; 采用化学水浴法(CBD)在30 cm×40 cm TCO衬底上沉积了CdS多晶薄膜,研究了薄膜性质,并应用于太阳能光伏电池,制成了许多独立的小面积CdS/CdTe薄膜太阳电池.结果表明:刚沉积的CdS多晶薄膜性质具有较好的均匀性,适宜于制作大面积CdS/CdTe薄膜太阳电池组件.; 蔡亚平李卫冯良桓黎兵蔡伟雷智张静全武莉莉郑家贵; 关键词：CDS薄膜均匀性 CDTE太阳电池

三层减反射膜的模拟及其在太阳电池中的应用被引量：8: 2013年; 使用减反射膜层是提高太阳电池短路电流密度进而提高电池转换效率的有效手段之一。针对CdTe薄膜太阳电池的光谱响应范围,基于AM1.5辐照光谱,优化设计了MgF2/H4/Al2O3结构的减反射薄膜,使用电子束蒸发技术制备了该减反射膜,使用椭圆偏振仪、紫外/可见分光光度计、原子力显微镜分别测量了所制备薄膜的光学性质和表面形貌,对比分析了膜系结构理论模拟与实验测量结果。结果表明,使用该减反射薄膜后,电池的量子效率提高了7.3%;光电转换效率从12.5%提高到13.3%。; 宫臣张静全冯良桓武莉莉李卫黎兵曾广根王文武; 关键词：减反射膜 CDTE AM1 量子效率

Sb_2Te_3薄膜的性质及光伏应用: 2012年; 采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜。将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳电池的背接触层,在不同温度下进行了快速退火处理,获得了效率为12.34%(Voc=805.9mV,Jsc=25.1mA/cm2,FF=0.61)的小面积太阳电池。; 唐容喆胡松柏高静静李卫冯良桓张静全武莉莉黎兵曾广根王文武; 关键词：CDTE太阳电池背接触

玻璃衬底上CdTe薄膜的制备及其性质被引量：9: 2005年; 利用近空间升华法在经过不同打磨处理的玻璃衬底上制备了CdTe薄膜,用X射线衍射仪,扫描电镜表征了CdTe薄膜的微结构。结果表明CdTe薄膜的微观结构依赖于衬底粗糙度,(111)晶面的择优取向随衬底表面粗糙度的增加而降低。; 曾广根冯良桓黎兵张静全蔡亚平郑家贵蔡伟郑华靖陈茜李卫; 关键词：太阳电池碲化镉

CdTe薄膜太阳电池背接触的研究被引量：7: 2007年; 用近空间升华法制备了CdTe多晶薄膜,用硝酸-磷酸(NP)混合液对薄膜表面进行了腐蚀.经SEM观测,腐蚀后的CdTe薄膜晶界变宽,XRD测试发现,经NP腐蚀后,在CdTe薄膜表面生成了一层高电导的富Te层.在腐蚀后的CdTe薄膜上分别制备了Cu,Cu/ZnTe:Cu,ZnTe:Cu,ZnTe/ZnTe:Cu四种背接触层,比较了它们对太阳电池性能的影响.结果表明,用ZnTe/ZnTe:Cu复合层作为背接触层的效果较好,获得了面积为0.5cm2,转换效率为13.38%的CdTe多晶薄膜太阳电池.; 贺剑雄郑家贵李卫冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵雷智武莉莉王文武; 关键词：CDTE太阳电池

Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的制备及性能研究: 2010年; 采用真空共蒸发法制备了Cd1-xZnxS多晶薄膜,研究了Cd1-xZnxS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性。XRD的结果表明,0; 孙震谢晗科狄霞李卫冯良桓张静全武莉莉黎兵雷智; 关键词：多晶薄膜

Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用被引量：10: 2003年; 用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd S/ Cd Te/ Cd1 - x Znx Te/ Zn Te∶ Cu电池 .并在相同工艺下制备了 Cd S/ Cd Te/ Cd0 .4 Zn0 .6 Te/ Zn Te∶ Cu与 Cd S/ Cd Te/ Zn Te∶ Cu太阳电池 ,发现前者比后者效率平均增加了 35 .0 % .; 邵烨郑家贵蔡道林张静全蔡伟武莉莉蔡亚平李卫冯良桓; 关键词：CDTE太阳电池

ZnSe薄膜的制备及掺杂研究: ZnSe是一种宽禁带的□-□族半导体材料,适宜作为太阳电池的窗口层.通过磁控溅射方法制备了ZnSe薄膜并进行了掺杂改性,一方面在溅射气体中通入N2的条件下制备了ZnSe掺N薄膜;另一方面采用共溅射法制备了ZnSe掺A1薄...; 朱喆王文武高静静罗光灿武莉莉李卫冯良桓张静全黎兵曾广根; 关键词：掺杂改性理化性质; 文献传递