朱辉
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金广西高校大学生创新创业计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于三维自组织映射的立体图像编码方法
- 本发明公开了一种基于三维自组织映射的立体图像编码方法,用3DSOM算法对左右图像，获得最优的量化码书；将左图作为输入矢量，进行量化编码，由左图和量化码矢获得量化误差，并对其进行DCT变换、量化和霍夫曼编码；解码端用重建左...
- 徐晓宁覃远年朱辉
- 文献传递
- 新型高耐压LDMOS新结构设计以及性能研究
- 横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管由于其与 CMOS工艺兼容的特点广泛功率集成电路中，但是器件击穿电压与导通电阻存在的相互矛盾的关系。为了改善击穿电压与导通电阻存在的相互矛盾的关系，横向功率器件主要研究方向分别为...
- 朱辉
- 关键词：导通电阻击穿电压功率器件
- 文献传递
- 具有非均匀交叉分布P柱区的新型高压SJ LDMOS结构(英文)
- 2014年
- 提出一种具有非均匀交叉分布P柱区(NCDP)的新型超结(SJ)LDMOS,NCDP SJ由一排嵌入在N漂移区的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电荷来确保漂移区电荷平衡并且抑制了衬底辅助耗尽(SAD)效应,使得漂移区有均匀电场,器件获得一个高的击穿电压(BV)。另外,由于交叉分布的P柱区被N型区域包围着,目前工艺技术导致的电荷掺杂轻微不平衡对器件的性能影响在文中研究的结构中相对更小。仿真结果表明文中提出的漂移区为15μm的器件耐压达到22V/μm,相比于常规超结(CSJ)LDMOS提高了100%,击穿电压达到330V。
- 朱辉李海鸥李琦
- 关键词：击穿电压
- 具有部分n^+浮空埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构
- 2014年
- 为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分n+浮空层SJ-LDMOS新结构。n+浮空等位埋层能够调制器件横向电场,使得partial n+-floating SJ-LDMOS比传统SJ-LDMOS具有更加均匀的电场分布。通过三维仿真软件对新器件结构分析,与传统SJ-LDMOS进行比较。仿真结果表明,具有部分n+浮空层SJ-LDMOS结构的器件能将器件的击穿电压从138V提高到302V,且比导通电阻也从33.6mΩ·cm2降低到11.6mΩ·cm2,获得一个较为理想的低导通电阻高压功率器件。
- 朱辉李琦黄远豪
- 关键词：击穿电压
- 仿生自主运动的六足机器人的设计与实现被引量：1
- 2019年
- 腿足机器人是移动机器人领域的重要研究方向。与其他类型的移动机器人相比,腿足机器人在非结构环境中进行野外探测,灾区救援和粗糙道路交通运输上有着显著优势。该文基于仿生运动学和图像处理算法进行设计六足机器人可以实现通过手机控制六足机器人行走,可以实现通过WiFi进行机器人与手机的通信,实现机器人跟随发送的指令进行相应动作。系统稳定可靠。
- 姜奥博胡聪朱辉吴汉斌
- 关键词：六足机器人图像采集WIFI传感器
- 一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件
- 本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件，包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层，在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区，高浓度固定电荷区面积占绝缘介质埋层与有...
- 朱辉李琦徐晓宁
- 文献传递
