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周志文

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:云南大学更多>>
发文基金:云南省应用基础研究基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电池
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇硅纳米线
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电极
  • 1篇银纳米颗粒
  • 1篇原电池
  • 1篇锗酸盐
  • 1篇锗酸盐玻璃
  • 1篇制备金属
  • 1篇双氧水
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇退火
  • 1篇退火工艺
  • 1篇氢氟酸
  • 1篇硝酸
  • 1篇硝酸银

机构

  • 5篇云南大学

作者

  • 5篇周志文
  • 4篇杨杰
  • 4篇杨宇
  • 4篇王荣飞
  • 2篇王茺
  • 1篇刘静
  • 1篇王盼
  • 1篇孙韬

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种基于磁控溅射技术联合退火工艺制备金属复合电极的方法
本发明涉及一种基于磁控溅射技术联合退火工艺制备金属复合电极的方法,属于太阳能电池电极材料制备技术领域。本发明基于磁控溅射技术,首先在一定溅射条件下,采用直流溅射在硅衬底上生长一定厚度的金属薄膜,然后再继续生长一定厚度的铝...
王荣飞周志文杨宇杨杰
文献传递
硅基Ge量子点与硅纳米线的研究及在光伏电池中的应用
锗量子点(Ge QDs)和硅纳米线(SiNWs)作为半导体纳米材料,具有优异的光电特性。Ge QDs具有独特的近红外吸收特性,SiNWs具有较好的减反射特性,将它们应用于光伏电池中,可以极大的拓宽光谱的吸收范围,减少光的...
周志文
关键词:GE量子点磁控溅射光伏电池
一种基于金属辅助化学刻蚀技术制备硅纳米线阵列的方法
本发明涉及一种基于金属辅助化学刻蚀技术制备硅纳米线阵列的方法,属于半导体纳米材料的制备技术领域。本发明首先配制一定参数的氢氟酸(HF)和硝酸银(AgNO<Sub>3</Sub>)混合溶液,接着超声混合溶液3~5min;将...
杨宇周志文王荣飞杨杰王茺
文献传递
光学碱度与能量传递对Bi/Yb^(3+)共掺杂锗酸盐玻璃近红外发光性质的影响(英文)
2017年
采用传统高温熔融法制备了Bi/Yb^(3+)共掺杂锗酸盐玻璃,通过吸收光谱、近红外光谱和荧光衰减寿命测试,研究了玻璃样品的近红外发光性质.研究结果表明,玻璃样品在980 nm或808 nm激光激发下,均能同时观察到Yb^(3+)离子和Bi离子的近红外发光,Yb^(3+)离子与Bi离子之间存在相互能量传递.随着Yb^(3+)离子浓度的增加,玻璃基质的光学碱度和Yb^(3+)离子到Bi离子的能量传递效率均增加,讨论了能量传递效率的提高对Bi离子发光的增强作用与光学碱度增加对Bi离子发光的削弱作用的竞争影响机制,获得了Bi/Yb^(3+)离子共掺杂锗酸盐玻璃的近红外发光的机理.
王荣飞周志文刘静杨杰孙韬杨宇
关键词:近红外发光光学碱度锗酸盐玻璃
金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线的研究进展被引量:2
2019年
硅纳米线(Si NWs)由于具有独特的一维结构、热电导率、光电性质、电化学性能等特点,被广泛应用于热电与传感器件、光电子元器件、太阳能电池、锂离子电池等领域。金属辅助化学刻蚀法(MACE)是制备Si NWs的常用方法之一,具有操作简便、设备简单、成本低廉和高效等优点,可大规模商业化应用,因而近年来被广泛研究。金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线的过程可以分为两步:首先在洁净的硅衬底表面沉积一层金属(Ag、Au、Pt等)纳米颗粒,以催化、氧化它附近的硅原子;然后利用HF溶解氧化层,从而对硅晶片进行刻蚀,形成纳米线阵列。然而,这种简单高效的制备硅纳米线的方法存在一些难以控制的缺点:(1)金属纳米颗粒聚集、相连后造成Si NWs之间的缝隙比较大,从而导致Si NWs密度较低;(2)由于金属纳米颗粒沉积的随机性,在硅晶片表面分布不均匀,不仅导致刻蚀出的纳米线直径范围(50~200 nm)较宽,而且使制得的纳米线阵列排列无序且间距不易调控;(3)当刻蚀出的硅纳米线太长时,范德华力等作用会造成纳米线顶端出现严重的团簇现象。针对常规法存在的一些问题以及不同的器件对硅纳米线的形貌、类型和直径等的要求,近年来的研究主要集中在如何减少纳米线顶端团簇、调控纳米表面粗糙度和直径、低成本制备有序硅纳米线等方面。目前一些改进常规金属辅助化学刻蚀的方法取得了进展,比如:(1)用酸溶液或UV/Ozone对硅晶片预处理,在表面形成氧化层,可以使纳米线的均匀性得到改善并增大其密度(从18%提高到38%);(2)使用物理气相沉积法在硅晶片表面沉积一层金属纳米薄膜,然后再刻蚀,这种方法能够减少纳米线顶端团簇和有效调控纳米线直径;(3)利用模板法(聚苯乙烯小球模板、氧化铝模板、二氧化硅模板和光刻胶模板等)可以制备出有序的硅纳米线阵列。本课题组�
王盼王盼周志文杨杰周志文陈安然杨杰孙韬王茺
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