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李颂战

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中南民族大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇带隙
  • 3篇单色
  • 3篇单色性
  • 3篇电极
  • 3篇紫外发光二极...
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米杆
  • 3篇宽带隙
  • 3篇极化效应
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管

机构

  • 3篇中南民族大学

作者

  • 3篇侯金
  • 3篇钟志有
  • 3篇顾锦华
  • 3篇龙浩
  • 3篇杨春勇
  • 3篇王皓宁
  • 3篇李颂战
  • 3篇杨艳芹

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn<Sub>1‑x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O...
龙浩顾锦华钟志有王皓宁杨春勇侯金李颂战杨艳芹
ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管
本实用新型公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn<Sub>1‑x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O量子阱有...
龙浩顾锦华钟志有王皓宁杨春勇侯金李颂战杨艳芹
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ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn<Sub>1‑x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>O...
龙浩顾锦华钟志有王皓宁杨春勇侯金李颂战杨艳芹
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