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文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇刻蚀
  • 2篇导通
  • 2篇等离子体
  • 2篇电池
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇组装方法
  • 2篇铌酸锂
  • 2篇基板
  • 2篇光伏
  • 2篇光伏电池
  • 2篇光学
  • 2篇高深宽比
  • 2篇高温
  • 2篇高温影响
  • 1篇掩模
  • 1篇折射率
  • 1篇色心
  • 1篇射频功率
  • 1篇石英

机构

  • 9篇中国科学院
  • 2篇烟台大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 9篇张伟
  • 2篇孙玉润
  • 2篇董建荣
  • 2篇曾中明
  • 2篇王逸群
  • 2篇于淑珍
  • 2篇王进
  • 1篇杨辉
  • 1篇张宝顺
  • 1篇郭洪英
  • 1篇黄健
  • 1篇孙元平
  • 1篇张学敏
  • 1篇姜春宇
  • 1篇刘彬
  • 1篇金晓盛
  • 1篇吴亚宁

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
电池片基板、光伏电池、光伏电池组件及其组装方法
本发明提供了一种用于光伏电池的电池片基板,其包括:第一基板主体、正面第一电极、正面第二电极、背面第一电极以及背面第二电极,第一基板主体包括彼此相对的第一表面和第二表面,正面第一电极和正面第二电极设置于第一表面上,且正面第...
孙玉润董建荣于淑珍张伟王安成尹佳静付秋雪王珺声
ZnO生长时间对样品的结构和性质的影响
本文利用醋酸锌-KOH体系利用单步水热法合成了ZnO粉体结构.在保持其它生长条件一致的情况下,通过不同的生长时间得到了双六角盘状的ZnO晶体.XRD结果表明,合成的ZnO具有良好的结晶度,为六方纤锌矿结构.与标准图谱74...
郭洪英张伟孙元平周桃飞邱永鑫张宝顺徐科杨辉
关键词:光学性质
文献传递
ICPCVD低温生长非晶硅的工艺及光学特性研究
2023年
文章利用ICPCVD在100℃及以下玻璃和蓝宝石片衬底上生长非晶硅薄膜,并通过调节Ar和SiH4气体流量比例、射频功率及衬底温度等参数,实现低温下高质量非晶硅薄膜的生长。随后用拉曼光谱表征分析研究了衬底温度变化对非晶硅薄膜沉积质量的影响,并计算出衬底温度为100℃时,非晶硅薄膜的结晶分数和微晶尺寸分别为64.4%和4.7 nm。此外还研究了非晶硅薄膜折射率和透过率等光学特性,并计算出薄膜的光学带隙最低为1.68。最后制备了两种a-Si/SiO_(2)/a-Si布拉格反射结构,厚度分别为36/100/41 nm和62/132/60 nm。两种结构在可见光和红外波段分别实现了90.4%和88.9%的最高反射率。
王进张伟冷家君韩鹤彬沈文超陆铖灵张学敏
关键词:非晶硅薄膜射频功率折射率
铌酸锂微纳结构、用于形成其的干法刻蚀方法及其应用
本发明公开了一种铌酸锂微纳结构、用于形成其的干法刻蚀方法及其应用。所述干法刻蚀方法包括:提供铌酸锂基体;在其表面形成图案化掩模;利用磁中性环路放电刻蚀方法对铌酸锂基体进行刻蚀处理,形成微纳结构;其中,进行刻蚀处理时,维持...
林雨张伟李玉雄曾中明
SiC材料的NLD快速均匀刻蚀被引量:5
2015年
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机设备原理,研究了SF6+O2氛围下,不同偏置电源功率、射频(RF)天线功率以及O2和SF6流量比率等工艺参数变化对NLD设备刻蚀SiC的影响;并研究了不同径向位置的SiC材料在刻蚀过程中的均匀性。结果表明,增加偏置电源功率可以提高刻蚀速率,却降低了金属的抗刻蚀比;增加RF天线功率,能降低偏压以及离子轰击能量,同时刻蚀速率先增大后减小;增加O2和SF6流量比率,刻蚀速率先增大后减小,偏压缓慢增大;刻蚀不同径向位置的SiC材料,均匀性为1.94%,刻蚀速率为738 nm/min。
张伟孙元平刘彬
基于金刚石的氮空位色心的集成化磁力计设备
本发明公开了一种基于金刚石的氮空位色心的集成化磁力计设备。该集成化磁力计设备包括激光光源系统、微波产生装置、光电探测装置和具有氮空位色心的金刚石单元,所述激光光源系统的封装壳体上开设有通光孔,所述通光孔用于通过所述封装壳...
张伟姜春宇王逸群张宝顺杨辉
高深宽比石英结构的NLD刻蚀
2017年
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机的原理,研究了Ar和C_4F_8混合气体氛围下,射频(RF)天线功率、偏置电源功率、气压和C4F8体积流量等工艺参数对NLD刻蚀石英的影响,最终获取优化的工艺参数,用于高深宽比石英结构的制备。结果表明,随着RF天线功率的增加,石英刻蚀速率逐渐降低,偏压不断减小;增加偏置电源功率,刻蚀速率及偏压持续增大,刻蚀比不断增大;随着反应压强的增加,偏压变大,而刻蚀速率一直降低;C_4F_8体积流量增加,偏压一直增大,石英刻蚀速率先是快速上升而后逐渐变小。在优化的工艺参数下,刻蚀速率为439 nm/min,深宽比可以达到10∶1。
吴亚宁张伟王逸群黄健缪小虎王进金晓盛
关键词:石英高深宽比刻蚀
电池片基板、光伏电池、光伏电池组件及其组装方法
本发明提供了一种用于光伏电池的电池片基板,其包括:第一基板主体、正面第一电极、正面第二电极、背面第一电极以及背面第二电极,第一基板主体包括彼此相对的第一表面和第二表面,正面第一电极和正面第二电极设置于第一表面上,且正面第...
孙玉润董建荣于淑珍张伟王安成尹佳静付秋雪王珺声
用于刻蚀形成铌酸锂微纳结构的NLD刻蚀设备
本发明公开了一种用于刻蚀形成铌酸锂微纳结构的1/'刻蚀设备。其包括1/'反应腔室,用于对铌酸锂基片进行1/'刻蚀以在铌酸锂基片表面形成铌酸锂微纳结构,1/'反应腔室中设置有用于承载铌酸锂基片的样品台,样品台中设置有第一温...
林雨张伟李玉雄曾中明
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