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陈炽

作品数:17 被引量:26H指数:3
供职机构:中国空间技术研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金西安应用材料创新基金更多>>
相关领域:电子电信航空宇航科学技术一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 5篇航空宇航科学...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇放大器
  • 5篇氮化镓
  • 5篇功率放大
  • 4篇输出功率
  • 4篇功率放大器
  • 3篇电极
  • 3篇功率附加效率
  • 3篇放大器设计
  • 2篇电流崩塌
  • 2篇钝化层
  • 2篇星载
  • 2篇频段
  • 2篇晶体管
  • 2篇寄生
  • 2篇寄生电容
  • 2篇交调
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇GAN
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物

机构

  • 10篇西安电子科技...
  • 7篇中国空间技术...

作者

  • 17篇陈炽
  • 7篇郝跃
  • 5篇汪蕾
  • 5篇马晓华
  • 4篇菊卫东
  • 3篇侯斌
  • 3篇武玫
  • 3篇杨凌
  • 3篇张濛
  • 3篇胡仕刚
  • 3篇王程
  • 2篇冯辉
  • 2篇吴笑峰
  • 2篇朱光耀
  • 2篇杨章
  • 1篇张进成
  • 1篇许晟瑞
  • 1篇毕志伟
  • 1篇杨飞
  • 1篇何兵哲

传媒

  • 6篇空间电子技术
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇微波学报
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
星载氮化镓固态功率放大器整机高可靠设计技术研究
2023年
为了满足星载应用对于固态功率放大器长寿命的应用需求,针对近年来研究较多的氮化镓(gallium nitride,GaN)固态功率放大器(solid state power amplifier,SSPA),阐述了器件存在的可靠性问题,提出了整机高可靠设计方法。首先,探讨了氮化镓器件的典型失效机理,给出了氮化镓器件在高场退化以及热退化方面的研究结果,分析了逆压电极化效应及热载流子效应引起器件退化的物理机制。其次,围绕降额设计、整机热设计以及电路稳定性设计,研究了如何针对氮化镓器件的特点实现星载固放的高可靠设计,并给出了典型的仿真及实验结果。最后,给出了典型的星载固态功率放大器空间环境模拟试验结果,产品在热真空试验、温循老炼以及高温老炼等试验过程中表现出了较高的稳定性和一致性,为氮化镓固态功率放大器的上星应用提供了有力的支撑。
陈伟伟陈炽罗聃夏维娟胡宽殷康杨飞
关键词:星载固态功率放大器氮化镓可靠性
星用X频段调制功率放大模块设计被引量:2
2018年
为了满足遥感卫星对数传单机小型化的要求,文章提出了一种星用X频段调制功率放大模块的设计方法。首次通过采用半导体单片集成电路芯片,对射频电路进行创新性设计,将驱动放大、载波调制、功率放大等功能集成在一个模块中,实现功率放大器的小型化;其次,通过腔体谐振特性仿真及传输特性仿真,优化模块结构设计,保证模块的腔体稳定性以及优良的传输特性;最后,通过优化大功率芯片载焊工艺,改善模块散热特性,并通过红外热像仪测试对芯片焊接质量进行评估。研制出的X频段调制功率放大模块具有功率密度高、效率高、体积小、质量轻等优点。红外热像仪结温测试及静态老炼等试验结果表明,所研制的X频段调制功率放大模块可靠性较好,可满足星载应用要求。
陈伟伟陈炽菊卫东汪蕾
关键词:热设计小型化
一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法
本发明公开了一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法,制备方法包括:在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、沟道层、插入层和高铝组分氮化物势垒层;刻蚀部分高铝组分氮化物势垒层、部分插入层和部分沟道层直至缓冲层内;在高铝组分氮...
马晓华芦浩邓龙格杨凌侯斌陈炽武玫张濛郝跃
文献传递
直接隧穿应力下超薄栅氧MOS器件退化(英文)
2008年
研究了栅氧厚度为1.4nmMOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化.实验结果表明,在不同直接隧穿应力过程中,应力感应漏电流(SILC)的退化和Vth的退化均存在线性关系.为了解释直接隧穿应力下SILC的起因,建立了一个界面陷阱和氧化层陷阱正电荷共同辅助遂穿模型.
胡仕刚郝跃马晓华曹艳荣陈炽吴笑峰
关键词:阈值电压直接隧穿
SRAM的高成品率优化设计技术被引量:1
2008年
提出了一种嵌入式SRAM的高成品率优化方法:通过增加冗余逻辑和电熔丝盒来代替SRAM中的错误单元。利用二项分布计算最大概率缺陷字数,从而求出最佳冗余逻辑。将优化的SR SRAM64 K×32应用到SoC中,并对SR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论。该SoC经90 nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6 mm×5.6 mm,功耗为1997 mW。测试结果表明:优化的SR SRAM64 K×32在每个晶圆上的成品数增加了191个,其成品率提高了13.255%。
周清军刘红侠吴笑峰陈炽
关键词:成品率
一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法,该器件包括:衬底层;GaN外延层,形成于衬底层上;源电极,形成于GaN外延层上;漏电极,形成于GaN外延层上;第一钝化层,形成于GaN外延层上;第二钝化层,形成于第一钝化...
马晓华芦浩杨凌侯斌邓龙格陈炽武玫张濛郝跃
立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析被引量:3
2010年
在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中,提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小。与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高。另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量。
李志明郝跃张进成陈炽薛军帅常永明许晟瑞毕志伟
关键词:MOCVD热分析
基于谐波调谐的F类30W高效率放大器设计
2018年
文章基于CREE公司的CGH40025氮化镓HEMT器件,利用谐波调谐的方法,设计了一种L波段F类30W高效率放大器。该放大器由偏置电路、输入匹配电路及输出匹配电路构成。偏置电路由四分之一波长线和射频电容构成,完成电源供电与射频厄流作用。在输入匹配网络中,利用共轭匹配,完成增益最大化设计,同时,利用RC网络构成稳定电路。在输出匹配网络中,利用微带开路和短路阻抗线,完成了基波阻抗匹配、二次谐波阻抗短路和三次谐波阻抗无穷大的设计。在1.5GHz处进行连续波测试,放大器输出功率为45. 02dBm(31.7W),增益为15.7dB,功率附加效率(PAE)为71%,漏极效率(DE)为73%。在频率1.25GHz^1.52GHz的带宽内,功率变化范围为44dBm^45dBm,附加效率变化范围为50%~72%。测试结果表明,通过谐波阻抗的设计与调整,完成了对放大器输出电压和电流波形的控制,从而达到高效率放大器设计的目的。
陈炽陈伟伟王程杨章菊卫东汪蕾
关键词:谐波阻抗
一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法,该器件包括:衬底层;GaN外延层,形成于衬底层上;源电极,形成于GaN外延层上;漏电极,形成于GaN外延层上;第一钝化层,形成于GaN外延层上;第二钝化层,形成于第一钝化...
马晓华芦浩杨凌侯斌邓龙格陈炽武玫张濛郝跃
文献传递
二氧化锡气敏传感器的研究
本论文通过水热合成法制备SnO<,2>粉体,并以此纳米SnO<,2>粉体为本底,掺杂Pd、sb、Y和掺杂Ag,Al,Bi分别制成无催化层的甲烷和氢气传感器。然后,用Al<,2>O<,3>和Pt的混合热处理制成外层活性料。...
陈炽
关键词:水热合成法气敏特性表面催化反应气敏传感器纳米粉体
文献传递
共2页<12>
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