陈飞飞
- 作品数：4 被引量：12H指数：3
- 供职机构：苏州科技大学数理学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Eu,Mg共掺GaN薄膜的结构和发光性能研究被引量：6
- 2020年
- 通过离子注入,将Eu和Mg共掺杂到金属有机化学气相沉积方法生长的GaN薄膜中,Mg的注入剂量保持为5×10^(13)cm^(-2),Eu的剂量依次为1×10^(14),5×10^(14)和1×10^(15)cm^(-2)。采用X射线衍射(XRD)、Raman散射和光致发光研究了样品的结构和发光特性。X射线衍射和Raman散射揭示了GaN:Eu样品和GaN:Eu,Mg样品内部的应力随Eu注入剂量变化展现出相同的变化趋势,在Eu注入剂量从1×10^(14)cm^(-2)提高到5×10^(14)cm^(-2)后会导致GaN晶格收缩,产生张应力;当Eu注入剂量从5×10^(14)cm^(-2)提高到1×10^(15)cm^(-2),会导致晶格膨胀,产生压应力。光致发光测试结果表明,GaN:Eu,Mg样品中Mg的存在能够减少Eu周围的本征缺陷,抑制黄光发射,增强GaN基质与Eu^(3+)之间的能量传递,导致与Eu相关的发射峰强度整体增强,且Mg的存在并不改变Eu相关的发光峰峰位,也没有引入新的发光峰。随着Eu/Mg剂量比的增加,发光强度增强倍数呈现先增加后减小的趋势,且在Eu/Mg剂量比为10∶1时,此时Eu发光得到最大程度的增强,为GaN:Eu发光强度的6.6倍。
- 李祥马海王晓丹陈飞飞曾雄辉
- 关键词：光电子学离子注入光致发光
- Er^(3+)、Pr^(3+)共掺杂AlN薄膜的发光特性和能量传递机理被引量：3
- 2017年
- 采用离子注入的方法在氮化铝(AlN)薄膜中实现Er^(3+)和Pr^(3+)的共掺杂,以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,对其发光特性进行研究.对于Er^(3+)单掺杂的AlN薄膜,在410nm和480nm可以观察到Er^(3+)较强的发光峰,在537nm、560nm、771nm和819nm可观察到Er^(3+)的较弱的发光峰;对于Pr^(3+)单掺杂的AlN薄膜,Pr^(3+)的最强发光峰位于528nm,在657nm和675nm可以观察到Pr^(3+)的较弱的发光峰;而对于Er^(3+)和Pr^(3+)共掺杂的AlN薄膜,在494nm观察到与Pr^(3+)相关的新跃迁峰.根据实验现象,对AlN薄膜中Er^(3+)和Pr^(3+)之间的能量传递机制进行了深入分析,结果表明Er^(3+)的4F7/2→4I15/2能级跃迁与Pr^(3+)的3P0→3H4能级跃迁之间发生了共振能量传递,从而使Pr^(3+)产生了494nm新的发光峰.
- 陈飞飞王晓丹阳明明毛红敏
- 关键词：光电子学氮化铝钋发光
- 稀土离子掺杂AlN薄膜发光材料的研究进展被引量：3
- 2018年
- 纤锌矿结构氮化铝(AlN)是一种典型的直接宽禁带化合物半导体,稀土离子掺入后可作为发光材料应用在显示、照明等众多领域。对稀土掺杂氮化铝薄膜的制备方法,结构损伤、发光特性、器件研究等进行了综述,并着重总结了影响发光性能的因素。最后对该研究方向进行了展望。
- 陈飞飞王晓丹李祥曾雄辉
- 关键词：氮化铝稀土离子发光特性
- Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性被引量：2
- 2018年
- 通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长Ga N薄膜,利用离子注入方法将Eu3+离子注入到Ga N基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极荧光光谱可得到Ga N:Eu3+材料在623 nm处有很强的红光发射,该发射峰来源于Eu3+离子的内部4f能级跃迁。另外,Eu3+离子注入会在样品中引入电荷转移态,产生408 nm附近的发光。退火处理有助于获得更强的电荷转移态发光和Eu离子特征发光。Ga N基质的黄光峰与Eu离子之间存在能量交换,将能量传递给Eu离子,促进Eu离子发光。
- 韩晶晶王晓丹夏永禄陈飞飞李祥毛红敏
- 关键词：氮化镓铕发光
