施政
- 作品数：66 被引量：28H指数：3
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 面向可见光波段的非周期悬空GaN薄膜光栅被引量：6
- 2017年
- 基于严格耦合波理论,提出了一种在可见光波段能调控入射光相位的非周期悬空氮化镓(GaN)薄膜光栅。首先,采用有限差分时域(FDTD)方法,通过改变光栅的周期、占空比等参数仿真计算非周期悬空GaN薄膜光栅的光响应。然后,采用双面加工工艺和氮化物背后减薄技术在硅基GaN晶圆上制备非周期悬空GaN薄膜光栅,控制入射光束的相移。最后,通过角分辨微反射谱实验和光致发光测量实验表征了该薄膜光栅的光学性能。角分辨微反射谱实验结果显示非周期悬空GaN薄膜光栅的光学性能与FDTD的理论分析一致;光致发光测量实验显示其光致发光(PL)强度比硅衬底GaN光栅大大增强,峰值从364.3nm转移到378.7nm。另外,在可见光波段内,该悬空非周期GaN光栅有较大的入射角容忍度,为-25°~25°。得到的结果表明,研制的悬空非周期GaN光栅有助于提高光提取效率。
- 王永进张锋华高绪敏施政
- 关键词：光致发光谱
- 基于多属性决策和群组决策的网络选择方法
- 异构网络场景下无线资源管理的一个关键问题是网络选择，本发明提供了一种基于多属性决策和群组决策的网络选择方法。首先由多属性决策方法来得到主观与客观决策结果，利用层次分析法以及熵权法分别得到主观和客观决策结果，然后采用群组决...
- 朱琦施政朱洪波杨龙祥
- 氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法
- 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法，光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层，氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂，非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬...
- 王永进白丹朱刚毅李欣施政高绪敏陈佳佳
- 文献传递
- 悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法
- 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件...
- 王永进于庆龙高绪敏施政曲颖贺树敏李欣王镇海
- 文献传递
- 基于马尔科夫过程的无线异构网络吞吐量优化方法
- 本发明公开了一种基于马尔科夫过程的无线异构网络吞吐量优化方法，用于由两种具有重叠覆盖区域的无线网络组成的异构网络。本发明方法将用户的移动性作为影响无线网络资源分配的一个因素考虑，利用经典的马尔科夫模型来分析信道分配情况，...
- 朱琦施政朱洪波杨龙祥
- 微机电可调硅基三族氮化物光栅被引量：2
- 2014年
- 将静电梳齿微驱动器与三族氮化物光栅集成,获得了利用静电梳齿微驱动器调节光栅周期的硅基三族氮化物光栅。首先,以硅基三族氮化物基片为基础,设计了微机电可调光栅,光栅的设计周期为1.1μm,设计线宽为0.8μm。然后,利用严格耦合波分析法研究了横向磁场模式下可调光栅的光学响应特性;研究显示改变光栅周期和占空比,光栅的谐振波峰出现了明显偏移。最后,介绍了结合电子束光刻、三族氮化物干法刻蚀和深硅刻蚀技术制备微机电可调三族氮化物光栅的方法。严格耦合波分析和实验表明:制备的微机电可调三族氮化物光栅具有良好的质量;在静电驱动器上施加电压,可将光栅的谐振波峰由1.345μm调节至1.40μm,满足了利用微机电技术调节三族氮化物光栅光学响应特性的要求。
- 李欣施政贺树敏高绪敏张苗王永进
- 关键词：微机电系统
- 微机电可调氮化物谐振光栅制备方法
- 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等...
- 王永进施政高绪敏贺树敏李欣于庆龙
- 文献传递
- 微机电可调氮化物谐振光栅及其双面加工方法
- 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光...
- 王永进施政高绪敏贺树敏李欣于庆龙
- 文献传递
- 基于聚焦离子束技术的可见光光子调控
- 2019年
- 采用晶圆级工艺,制备了一种单片集成光源和直波导的硅基氮化镓光电集成器件,结合聚焦离子束技术,使用Ga离子束在直波导上刻蚀形成了一个布拉格反射镜(DBR),并对器件的光子调控功能进行研究.特殊的InGa N波导结构使得器件在制备过程中不再需要复杂的硅移除和晶片背面减薄工艺,硅衬底可以保持完整.实验结果表明,作为光源的多量子阱发光二极管(MQW-LED)具有良好的电流-电压特性. MQW-LED开启后部分光子耦合进直波导,被限制在波导内向前传输,在DBR处发生全反射并部分衍射到自由空间中.由器件的电致发光光谱可知,制备在波导上的DBR对波导内传输的光子进行了有效调控.
- 蔡玮蔡玮邢远施政贾志宏贾志宏
- 关键词：波导布拉格反射镜
- 叉指型环形栅AlGaN/GaN HEMT结构的双面紫外光探测器
- 本发明公开了一种叉指型环形栅AlGaN/GaN HEMT结构的双面紫外光探测器，其结构从下往上依次包括：硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层、u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层；探测器在有源区侧壁采...
- 施政谢天龙高绪敏王永进
