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何美林

作品数：22 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇太赫兹
  • 6篇共面
  • 6篇赫兹
  • 6篇测试夹具
  • 5篇散射参数
  • 4篇电路
  • 4篇微波
  • 4篇微波功率器件
  • 4篇校准
  • 4篇芯片
  • 4篇功率器件
  • 4篇共面波导
  • 4篇波导
  • 3篇电感
  • 3篇信号
  • 3篇探针
  • 3篇寄生电感
  • 2篇导体
  • 2篇电路结构
  • 2篇定标

机构

  • 22篇中国电子科技...

作者

  • 22篇何美林
  • 21篇曹健
  • 18篇胡志富
  • 18篇刘亚男
  • 17篇冯彬
  • 17篇李静强
  • 13篇杜光伟
  • 6篇王亚冰
  • 1篇崔玉兴

传媒

  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2021
  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2015
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法
本发明公开了一种用于太赫兹有源器件的神经网络建模方法，涉及太赫兹器件建模方法技术领域。所述方法在单纯神经网络建模的基础上加上空间映射的方法，将粗模型的输入电压通过神经网络映射到最终的精确模型的输入电压，由太赫兹有源器件的...
杜光伟胡志富刘亚男李静强冯彬彭志农何美林曹健
文献传递
太赫兹芯片压点结构、太赫兹芯片、键合方法及电子器件
本申请适用于太赫兹芯片装配技术领域，提供了一种太赫兹芯片压点结构、太赫兹芯片、键合方法及电子器件，该太赫兹芯片压点结构包括呈凸字形的信号压点，以及位于信号压点左右两侧的两个地压点；信号压点包括第一压点部位和第二压点部位；...
韩易曹健何美林卢军廷
一种提取GaNHEMT器件电热模型参数的方法及夹具
本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN ...
李静强胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟曹健何美林
微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备
本发明适用于微波电路技术领域，提供了微波电路非线性模型建立方法、测量系统及终端设备。该方法包括：在输出端口的反射系数为第一固定值时，调节输入端口的入射功率波大小，获取输出端口的入射功率波和出射功率波，以及输出端口的入射功...
李静强曹健胡志富刘亚男彭志农冯彬杜光伟何美林王亚冰何锐聪
文献传递
太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法
本发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面...
刘亚男胡志富杜光伟李静强冯彬彭志农何美林曹健
一种测试夹具的散射参数提取方法
本发明适用于微波测量及校准技术领域，提供了一种测试夹具的散射参数提取方法，包括：根据被测微波功率器件的封装形式，制作不包括馈线的TRL校准件，并计算所述TRL校准件的传输矩阵参数；根据微波功率器件的封装形式及工作频段，制...
曹健李静强胡志富刘亚男冯彬彭志农何美林王亚冰何锐聪
文献传递
一种双压点太赫兹芯片、组件及制备方法
本发明提供一种双压点太赫兹芯片、组件及制备方法。该双压点太赫兹芯片双压点结构包括：基板、信号焊盘和对称设于信号焊盘两侧的两个地焊盘；信号焊盘包括第一信号焊盘和第二信号焊盘，第一信号焊盘靠近双压点太赫兹芯片的边缘，第二信号...
韩易曹健何美林卢军廷
微波共面测试探针及其制作方法
本发明公开了一种微波共面测试探针及其制作方法，属于微波通讯器件技术领域。本发明包括同轴设置的外导体和内导体，在外导体和内导体之间设有绝缘层，外导体的端部设有转接器，内导体向外延伸形成信号线触头，外导体向外延伸形成两个地线...
李静强胡志富彭志农刘亚男曹健冯彬杜光伟何美林
文献传递
在片微波探针测试夹具
本实用新型公开了一种在片微波探针测试夹具，涉及微波在片测试方法技术领域。所述测试夹具包括第一测试PAD、第二测试PAD、第三测试PAD、第一对位标记、第二对位标记、第三对位标记和第四对位标记。通过测试夹具上的对位标记，在...
胡志富刘亚男杜光伟李静强何美林冯彬彭志农曹健
文献传递
太赫兹在片散射参数测量校准件
本实用新型公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件，涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底，所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件，所述衬底的下表面制作有背面金属层，...
刘亚男胡志富杜光伟李静强冯彬彭志农何美林曹健
文献传递
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