公共文化服务平台

王永维: 作品数：14 被引量：8H指数：2; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

合作作者

一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET被引量：4: 2020年; 设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2400 V,为理想平行平面结击穿电压的91%。器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm^2,阈值电压为2.9 V。对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性。; 刘岳巍杨瑞霞张志国王永维邓小川; 关键词：场限环击穿电压

碳化硅器件终端结构及其制作方法: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅器件终端结构及其制作方法。该碳化硅器件终端结构包括N+型SiC衬底、第一N‑型外延层、第二N‑型外延层、第一P型主结、P型终端、第二P型主结、第一电极层和第二电极层，通过将P型终...; 王永维马杰吕树海王国清张力江; 文献传递

深能级快速离化导通器件及其制造方法: 本发明公开了一种深能级快速离化导通器件及其制造方法，属于半导体器件工艺制造技术领域。本发明包括N型半导体基片，所述N型半导体基片的正面为P型扩散区，所述P型扩散区上分布阴极P+区、阴极N+...; 王敬轩刘忠山闫伟王永维王勇; 文献传递

利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法: 本发明公开了一种利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法，涉及SiC电子器件技术领域。包括如下步骤：（a）对SiC基片进行清洗处理；（b）在SiC基片上生长适当厚度用于掩蔽光刻的复合介质导电膜；（c）通过光刻技...; 王敬轩王永维王勇; 文献传递

一种降低漏电流的GaN器件: 本实用新型公开了一种降低漏电流的GaN器件，涉及GaN功率半导体器件领域。该GaN器件自下而上依次包括衬底、AlN缓冲层、非掺杂GaN外延层、高掺杂AlGaN势垒层、高介电常数介质材料层和复合介质材料层；所述非掺杂GaN...; 王敬轩王永维王勇; 文献传递

一种降低GaN器件漏电流的方法: 本发明公开了一种降低GaN器件漏电流的方法，涉及GaN功率半导体器件领域。制备步骤：（a）对GaN基片的表面进行清洗处理；（b）台面光刻与注入隔离；（c）在GaN基片表面上生长一层高介电常数介质材料层；（d）在淀积的高介...; 王敬轩王永维王勇; 文献传递

利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法: 本发明公开了一种利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法，涉及SiC电子器件技术领域。包括如下步骤：（a）对SiC基片进行清洗处理；（b）在SiC基片上生长适当厚度用于掩蔽光刻的复合介质导电膜；（c）通过光刻技...; 王敬轩王永维王勇

JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法: 本发明公开了一种JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法，所述方法包括如下步骤：在外延层上淀积第一介质层作为离子注入缓冲层；将JFET区上方的第二介质层刻蚀，刻蚀后进行JFET区离子注入；淀积第三介质层，...; 刘相伍王永维陟金华廖龙忠安国雨周国冯旺张力江付兴中商庆杰高昶

深能级快速离化导通器件及其制造方法: 本发明公开了一种深能级快速离化导通器件及其制造方法，属于半导体器件工艺制造技术领域。本发明包括N型半导体基片，所述N型半导体基片的正面为P型扩散区，所述P型扩散区上分布阴极P+区、阴极N+...; 王敬轩刘忠山闫伟王永维王勇; 文献传递

3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制被引量：1: 2017年; 基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度为35μm、n型掺杂浓度为2×1015cm-3。二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2 V下电流达到50 A,比导通电阻13.7 mΩ·cm2;反偏条件下器件的雪崩击穿电压为4 600 V。基于这种3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,研制出3 300 V/600 A混合功率模块,该模块包含24只3 300 V/50 A Si IGBT与12只3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,Si C肖特基二极管为模块的续流二极管。模块的动态测试结果为:反向恢复峰值电流为33.75 A,反向恢复电荷为0.807μC,反向恢复时间为41 ns。与传统的Si基IGBT模块相比,该混合功率模块显著降低了器件开关过程中的能量损耗。; 王永维王敬轩刘忠山闫伟王勇党冀萍; 关键词：4H-SIC 肖特基势垒二极管