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王玺

作品数：8 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
发文基金：中国电子科技集团公司创新基金更多>>
相关领域：机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇探测器
  • 3篇单光子
  • 3篇光电
  • 3篇光电二极管
  • 3篇光子
  • 3篇二极管
  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇读出电路
  • 2篇外量子效率
  • 2篇像素
  • 2篇量子效率
  • 2篇近红外
  • 2篇空穴
  • 2篇空穴注入
  • 2篇空穴注入层
  • 2篇机械稳定性
  • 2篇激光
  • 2篇激光直写
  • 2篇工作波长

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 8篇王玺
  • 4篇高新江
  • 3篇陈扬
  • 3篇周勋
  • 2篇罗木昌
  • 1篇季万涛
  • 1篇卢杰
  • 1篇唐艳
  • 1篇兰逸君
  • 1篇胡小燕

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种近红外集成式圆偏态检测探测器
本发明公开了一种近红外集成式圆偏态检测探测器，包括介质层基底(4)，在所述介质层基底(4)的一端设有第一光敏区(5)和第二光敏区(6)，在所述第一光敏区(5)上对应连接有第一电极(7)，在所述第二光敏区(6)上对应连接有...
王玺高新江陈扬
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集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件
本发明提供一种集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件，包括壳体，壳体内侧的底部与制冷器的热端面连接，制冷器的冷端面设有陶瓷基板，陶瓷基板上设有电路布线并安装了单光子雪崩光电二极管芯片，该芯片与陶瓷基板上的侧面电路布线进行连接...
王玺杨君宜高新江林灵
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p‑i‑n<Sup>—</Sup>‑n型GaN单光子雪崩探测器
本发明提供一种p‑i‑n<Sup>‑</Sup>‑n型GaN单光子雪崩探测器，包括由上向下依次设置的p‑GaN上接触层、i‑GaN雪崩倍增层、n<Sup>‑</Sup>‑GaN空穴注入层和n‑AlGaN下接触层，其中所述...
周勋李艳炯申志辉王玺叶嗣荣罗木昌
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一种近红外集成式圆偏态检测探测器及其制备方法
本发明公开了一种近红外集成式圆偏态检测探测器及其制备方法，包括介质层基底(4)，在所述介质层基底(4)的一端设有第一光敏区(5)和第二光敏区(6)，在所述第一光敏区(5)上对应连接有第一电极(7)，在所述第二光敏区(6)...
王玺高新江陈扬
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探测器
本实用新型实施例涉及一种探测器，所述探测器包括：衬底；偏振光栅，阵列式排布在衬底的上表面，偏振光栅用于对入射光进行偏振分光；光电二极管，阵列式排布在衬底的下表面，光电二极管与偏振光栅像素一一对应，用于吸收经偏振光栅分光后...
胡小燕王玺韩建忠
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集成偏振近红外焦平面探测器研制与信噪比分析被引量：3
2017年
面向近红外波段隐蔽目标识别应用,基于InGaAs近红外焦平面阵列,利用焦平面像元分组方法,研制了一种单片集成微偏振元阵列的InGaAs焦平面探测器。本文器件利用电子束直写与金属刻蚀工艺制备的金属纳米线阵列实现偏振态选择,实验测试平均消光比为8.05。研究结果表明,光串扰在很大程度上降低了消光比,对偏振图像的暗部细节的解析度也产生了不利影响;金属纳米线本身的不完整性不但造成了信噪比(SNR)下降,也制约了光响应动态范围。
王玺陈扬胡小燕季万涛唐艳兰逸君周勋卢杰高新江
关键词：偏振近红外焦平面金属纳米线
探测器及其制造方法
本发明实施例涉及一种探测器及其制造方法，所述探测器包括：衬底；偏振光栅，阵列式排布在衬底的上表面，偏振光栅用于对入射光进行偏振分光；光电二极管，阵列式排布在衬底的下表面，光电二极管与偏振光栅像素一一对应，用于吸收经偏振光...
胡小燕王玺韩建忠
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p‑i‑n&lt;sup&gt;—&lt;/sup&gt;‑n型GaN单光子雪崩探测器
本发明提供一种p‑i‑n<Sup>‑</Sup>‑n型GaN单光子雪崩探测器，包括由上向下依次设置的p‑GaN上接触层、i‑GaN雪崩倍增层、n<Sup>‑</Sup>‑GaN空穴注入层和n‑AlGaN下接触层，其中所述...
周勋李艳炯申志辉王玺叶嗣荣罗木昌
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