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郝建民

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮掺杂
  • 1篇英寸
  • 1篇空位
  • 1篇碳
  • 1篇6H-SIC
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇王香泉
  • 1篇冯玢
  • 1篇严如岳
  • 1篇洪颖
  • 1篇郝建民
  • 1篇齐海涛
  • 1篇王利杰

传媒

  • 1篇中国电子科学...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
3英寸高纯半绝缘6H-SiC单晶的研制被引量：1
2011年
采用物理气相传输(PVT)工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘(HPSI)6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱(SIMS)测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping(CORE-MA)和电子顺磁共振(EPR)测试进一步证实其高纯半绝缘特性。
王利杰洪颖齐海涛冯玢王香泉郝建民严如岳
关键词：氮掺杂
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