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王勇

作品数：14 被引量：16H指数：3
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 2篇核科学技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 5篇数字集成电路
  • 5篇探测器
  • 5篇存储器
  • 3篇粒子探测器
  • 3篇开启电压
  • 3篇E^2PRO...
  • 3篇EEPROM
  • 3篇N
  • 2篇击穿电压
  • 2篇光探测
  • 2篇光探测器
  • 1篇电流
  • 1篇电容滤波
  • 1篇电容滤波器
  • 1篇浅结
  • 1篇专用集成电路
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外光

机构

  • 14篇清华大学

作者

  • 14篇王勇
  • 7篇费圭甫
  • 6篇蒋志
  • 6篇吴正立
  • 5篇王纪民
  • 5篇严利人
  • 3篇张继盛
  • 2篇陈武
  • 2篇单一林
  • 2篇王水弟
  • 1篇张小军
  • 1篇邱晓海
  • 1篇张建人
  • 1篇沈延钊
  • 1篇陈志良
  • 1篇乔忠林
  • 1篇朱钧
  • 1篇黄维柱
  • 1篇吴君华
  • 1篇张向民

传媒

  • 6篇微电子学
  • 2篇核电子学与探...
  • 2篇半导体光电
  • 2篇第九届全国半...
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 5篇1996
  • 2篇1995
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅微条粒子探测器被引量：6
1997年
本文主要介绍硅微条粒子探测器的研究情况，侧重于器件的基本结构及其工作原理。
王勇张继盛费圭甫
关键词：粒子探测器硅探测器半导体探测器
硅微条粒子探测器的设计
张继盛王勇
关键词：粒子探测器
硅浅结紫外光探测器的研究被引量：3
2000年
采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光 (UV )探测器 ,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明 ,这种探测器能够有效地探测波长为 2 0 0nm至 4 0 0nm的紫外光。
陈武王勇王水弟单一林MikkoMatikkala
关键词：紫外光探测器浅结硅
硅粒子探测器自动中测系统
1998年
本文介绍了一种适合硅粒子探测器的自动中测系统。可同时测量１６个样品，全部由微机控制。数据存放在微机中，可以给出统计数据，也可绘出特性曲线，从而大大提高了测试效率与质量。目前用于测量硅粒子探测器反向Ｉ－Ｖ曲线。实验表明：本装置测得的数据是可靠的，并大大提高了效率。
张小军张继盛王勇
关键词：自动测量系统小电流
EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策
1996年
ＥＥＰＲＯＭ要求场开启电压≥２０Ｖ，Ｐ－Ｎ结击穿电压也要求≥２０Ｖ，前者需提高场区杂质浓度，而后者则需要降低场区杂质浓度。通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策：首先根据Ｐ－Ｎ结击穿电压的要求确定场区杂质浓度，继而大幅度调节场氧厚度，从而使二者都能满足要求。
吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫王美荣乔忠林
关键词：存储器EEPROM击穿电压
N管开启电压调整注入对P－N结击穿电压的影响被引量：1
1996年
为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。
吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫
关键词：数字集成电路存储器EEPROM
200～1100nm光响应测试系统的研制
2000年
设计并制作了 2 0 0～ 110 0nm的光响应测试系统 ,该系统工作稳定可靠 ,并可消除光源抖动和突发性光源对测试的影响。
陈武王勇王水弟单一林MikkoMatikkala
关键词：紫外光光响应测试系统光探测器
硅微条粒子探测器的研制
王勇费圭甫
关键词：粒子探测器工艺性能试验
新型节能开关专用集成电路的设计与研制被引量：1
1999年
ＴＨ９７３是专门为全自动节能节水开关设计的模数混合大规模集成电路，它主要由增益可调低噪声运放、六阶开关电容带通滤波器、比较电路、时钟电路和控制电路等组成。文章利用滤波器理论和开关共享技术进行电路设计，提出了一种新型的开关电容滤波器电路，使得以往需要六个运放的六阶开关电容滤波器只用三个运放便得以实现。利用Ｌ－ＥＤＩＴ进行全定制版图设计，利用双层多晶硅Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺进行芯片制造。采用ＴＨ９７３的全自动节能节水开关已批量生产，并得到越来越广泛的应用。
陈志良张向民张建人沈延钊王勇
关键词：开关电容滤波器
提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究被引量：2
1996年
为了提高Ｅ２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压（ＶＰＴ），用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低压区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺可大幅度提高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；
吴正立严利人王纪民蒋志王勇费圭甫
关键词：数字集成电路存储器E^2PROM
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