刘伟
- 作品数：14 被引量：17H指数：3
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金霍英东青年教师基金北京市教育委员会科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 稀土难熔金属阴极材料研究进展被引量：4
- 2006年
- 研究了稀土钼阴极的热发射、次级发射及亚微米结构钪钨基扩散阴极的热发射性能.结果表明,La2O3-Mo热阴极具有良好的热电子发射性能并具有抗暴露大气的能力.稀土钼次级发射材料经过1000～1200℃的高温激活处理后,材料的最大次级发射系数超过4.0.湿法冶金方法制备的亚微米结构钪钨基扩散阴极850℃b时电流密度可达47 A/cm^2,且阴极表面的发射均匀性较普通钪酸盐阴极有明显的改善.
- 王金淑刘伟李娜古昕王亦曼袁海清李季
- 关键词：稀土钼钨阴极
- MgO薄膜次级电子发射材料研究现状与展望被引量：2
- 2020年
- 次级电子发射是一种涉及带电粒子与固体表面间相互作用的复杂过程.MgO薄膜具有较高的次级电子发射系数和化学稳定性,在多种光电倍增管、交流等离子平板显示器中具有广泛应用.主要介绍次级电子发射的基本原理、MgO薄膜次级电子发射材料的发展演变,并结合本课题组的研究工作,重点介绍具有高次级发射系数的MgO及掺杂MgO次级电子发射材料的研究进展.最后对次级电子发射材料的需求与发展趋势进行展望.
- 周帆王蕊梁轩铭刘伟王金淑
- 关键词：光电倍增管掺杂
- 含钪扩散阴极寿命过程表面特征
- 朱晓策王亦曼刘伟杨帆杨韵斐王金淑
- 稀土难熔金属电子发射材料的研究
- 2007年
- 介绍了两种阴极,即稀土钼金属陶瓷次级发射材料及钪钨基扩散阴极。研究结果表明,稀土钼金属陶瓷阴极的最大次级发射系数可达6.5,与单元稀土氧化物掺杂的钼阴极相比,复合稀土氧化物-钼具有更高的次级发射系数,主要是由于复合氧化物在高温、真空条件下失氧速度小于单元稀土氧化物,相对于单元稀土氧化物具有较低的缺陷浓度,使缺陷对二次电子的散射作用减弱,从而有利于阴极的发射。钪钨基扩散阴极具有优异的热发射性能,900℃下阴极的发射电流密度达87A/cm^2,为普通钪酸盐阴极的3倍。活性元素Ba、Sc和O在阴极激活过程中同时向表面扩散,在阴极表面建立均匀分布的Ba、Sc和O活性层,促进了阴极的发射。
- 王金淑刘伟李洪义周美玲
- 关键词：稀土钼钨阴极
- 场发射X射线管电子光学系统的设计和研究被引量：2
- 2018年
- 设计了一种基于场发射阵列阴极的X射线管结构。制备了金属尖锥阵列场发射阴极,结果表明该阴极具有良好的电子发射能力和稳定性,在阳极电压为3400 V的条件下,发射电流达1.46 mA,电流密度达516.4 mA/cm^2,适合应用于X射线管中。利用CST粒子工作室仿真软件对X射线管的电子光学系统进行计算,得到了可行的结构方案,结构由阵列阴极、聚焦极和阳极组成,阴极与聚焦极等电位,该结构中阴极面积为10 mm×2 mm,总发射电流约为10 mA,满足X射线管的发射要求。阳极电子束斑大小为1 mm×1 mm,可得到有效焦点大小为0.58 mm×1 mm的X射线。研究为进一步制造高分辨率的场发射X射线管打下了基础。
- 罗登李兴辉张强胡银富刘伟冯进军王金淑
- 关键词：场发射X射线管电子光学
- 铼掺杂对含钪阴极性能与微观结构的影响被引量：3
- 2015年
- 为了研究铼掺杂对含钪阴极性能与微观结构的影响,采用液-液掺杂结合两步氢还原法制备出掺杂Re的氧化钪掺杂钨粉R5S5(Sc2O3(w=5%)、Re2O7(w=5%)),并在此基础上经过压制、烧结、浸盐、清洗、退火工艺后制备出掺铼阴极.结果表明:阴极孔度合适,孔结构良好,孔分布均匀,颗粒达到亚微米级.该阴极的发射测试结果显示,在850℃b时,Jdiv为30.14 A/cm2.阴极表面的纳米小颗粒导致颗粒附近局部场强的增加,进而有利于阴极发射性能的提高.
- 王金淑田恬刘伟赖陈周帆赵雷
- 关键词：氧化钪钨
- 纳米氧化钪掺杂钨粉的研究
- 用液-固掺杂及两段还原法制备了氧化钪及铼掺杂的钨粉。采用电镜、能谱、X射线衍射分析、粒度分析等方法研究了掺杂钨粉的粒度及稀土元素的分布。实验结果表明,氧化钪均匀分布在钨颗粒表面。氧化钪和铼的添加减小了钨粉粒度,且随着稀土...
- 王金淑高涛刘伟古昕周美玲
- 关键词：氧化钪钨粉掺杂铼稀土
- 文献传递
- 含钪扩散阴极电子发射研究被引量：2
- 2006年
- 采用水冷阳极平板二极管结构测试了含钪扩散阴极,结果表明,它有比其它扩散阴极更大的发射电流密度。在849℃(亮度温度),利用亚微米粉体制备的含钪阴极的功函数约为1.55 eV,电子发射常数为1.126 A/cm2K2。同时,采用米拉曲线讨论了这类阴极的欠热特性和电子发射性能。
- 王辉李季潘克新廉艳强王金淑王一曼刘伟
- 关键词：电子发射
- 高电流密度带状束电子源
- 为了满足THz真空电子器件对电子源高发射、小尺寸、特定形状的要求,本文研制了直接由阴极发射高电流密度带状电子束的技术并对电子束的发射性能进行了研究和表征。本研究以氧化钪掺杂扩散型阴极高发射为基础,配合形状和厚度合适的带状...
- 王金淑李莉莉王燕春刘伟王亦曼
- 关键词：电真空器件电子管阴极
- 文献传递
- 镧钼阴极的表面分析研究
- 王金淑刘伟王亦曼周美玲左铁镛
