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王军

作品数:9 被引量:20H指数:2
供职机构:中国石油大学(华东)物理科学与技术学院更多>>
发文基金:高等学校骨干教师资助计划更多>>
相关领域:电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇石油与天然气...

主题

  • 2篇电磁
  • 2篇电阻
  • 2篇型砂
  • 2篇型砂紧实率
  • 2篇射线
  • 2篇紧实率
  • 2篇FLASH
  • 1篇电磁参数
  • 1篇虚拟实验
  • 1篇虚拟实验室
  • 1篇虚拟现实
  • 1篇虚拟仪器
  • 1篇设计方法
  • 1篇输入电阻
  • 1篇泡沫钻井
  • 1篇泡沫钻井液
  • 1篇平衡钻井
  • 1篇欠平衡
  • 1篇欠平衡钻井
  • 1篇钻井

机构

  • 9篇中国石油大学...
  • 1篇中国石油化工...

作者

  • 9篇王军
  • 4篇杨渭
  • 1篇耿宏章
  • 1篇成效华
  • 1篇魏连锋
  • 1篇刘金森
  • 1篇蒋莉

传媒

  • 3篇科学技术与工...
  • 2篇曲阜师范大学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇辐射研究与辐...
  • 1篇青岛大学学报...
  • 1篇钻井液与完井...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
基于Flash的虚拟物理实验室的设计方法被引量:12
2008年
在Flash中,可以借助组件技术构建功能完备的虚拟仪器,再通过虚拟仪器的有机组合,并辅以复杂计算模式所复现的实验现象以及虚拟现实技术,就能够形成高质量的虚拟实验室,这是利用Flash开发虚拟物理实验室的最有效途径.
王军
关键词:FLASH虚拟仪器虚拟现实虚拟实验室
辐射对GaAs霍尔器件电磁参数的影响被引量:1
2007年
为了深入揭示γ和β射线辐照对GaAs霍尔器件的影响规律,在无源、无磁场作用时的辐照研究基础上,又用低剂量率γ和β射线对恒流激励、无磁场和有确定磁场作用的器件进行非永久辐照,考察了输入端电阻及霍尔输出电压的变化。结果表明,无磁场作用时,γ和β射线辐照均导致器件输入端电阻增加,而且与辐照时间近似成正比;有确定磁场作用时,输入端电阻与霍尔输出电压也因辐照发生变化,但与辐照时间没有确定关系,而且变化量较小。所有变化均不因辐照停止而消失,反应了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性。上述结果不仅从一定程度上证实了辐射损伤理论,而且对相应的辐射防护研究具有重要的参考价值。
王军杨渭
基于γ射线吸收原理测量型砂紧实率被引量:1
2008年
基于γ射线吸收原理测量了不同紧实状况下的型砂密度,藉此,提出了一种型砂紧实率测量的新方法,该方法也可能应用于型砂组分的测量。
王军
关键词:型砂紧实率
GaAs霍尔器件γ和β射线辐照研究被引量:2
2006年
用γ和β射线分别对GaAs霍尔器件进行不同时间的辐照,测定了辐照前后器件的输入电阻、输出电阻、霍尔灵敏度等电磁参数。结果表明:γ和β射线辐照使器件的输入、输出电阻增加,但霍尔灵敏度可能增加也可能减小,其与射线种类、辐照时间密切相关。具体分析认为,射线辐照使材料表面及内部结构改变,进而引起载流子浓度、迁移率等的变化,最终导致器件的宏观电磁参数发生变化。
王军杨渭
关键词:电阻
可循环泡沫钻井液动静密度特性对比实验研究被引量:1
2005年
介绍了测定可循环泡沫钻井液动密度与压力、温度关系的方法,利用可循环泡沫钻井液动密度测定仪测量了不同温度、压力下可循环泡沫钻井液的动密度。结果表明,当温度一定时泡沫钻井液密度随压力增加而增加,泡沫钻井液动密度随温度的升高而降低,随压力的升高快速升高,大于一定压力后泡沫钻井液动密度随压力升高而缓慢变大,相同温度压力下静密度稍大于动密度。
耿宏章蒋莉王军成效华
关键词:泡沫钻井液欠平衡钻井测量方法
基于Flash-ASP的协同虚拟实验室研究被引量:2
2010年
详细介绍了基于Flash-ASP的协同虚拟实验室的设计思想和实现方式,以及利用事物处理实现并发控制的技术细节,实践表明该方案是行之有效的,所形成的协同虚拟实验室不仅具备计算机支持的协同工作的特点,而且表现力丰富,交互能力较强.
王军刘金森
关键词:FLASHASP计算机支持的协同工作并发控制MTS
辐射对半导体霍尔器件输入电阻的影响
2007年
用60Co、137Cs、90Sr-90Y放射源低剂量率对恒流激励、无磁场作用时的InSb、GaAs、Si、Ge等半导体霍尔器件进行短时辐照,测量了辐照过程中各器件输入电阻的变化。结果表明:因为位移效应所引起的辐射缺陷,三种辐照均导致各器件输入电阻增加,并与辐照时间成正比。比较相同射线、相同时间辐照所引起的输入电阻变化量,可以判定Ge器件的抗辐射能力最强,Si器件次之,InSb、GaAs器件最差。
王军杨渭
关键词:辐照输入电阻
用γ射线吸收法测量型砂紧实率的深入研究被引量:1
2008年
对水份和膨润土含量不同的型砂样品,分别用两种方法测量了他们的紧实率,不仅进一步证实了基于γ射线吸收原理测量型砂紧实率方法的有效性,而且依据重建的数学模型可以实现型砂紧实率的在线检测和控制。
王军魏连锋
关键词:型砂紧实率
辐射对InSb霍尔器件电磁参数的影响
2007年
系统研究了低剂量率γ和β射线辐照对不同工作状态下的InSb霍尔器件输入电阻、输出电阻、磁电阻及霍尔灵敏度等电磁参数的影响,结果表明,γ和β粒子通过电离、位移效应与器件相互作用,导致器件的宏观电磁参数发生复杂变化。这些变化不因辐照停止而消失,反映了常温退火过程对辐射损伤的不可恢复性。恒流激励、无磁场作用时,所进行的辐照均使器件的输入电阻增加,并与辐照时间成正比。恒流激励、有确定磁场作用时,输入电阻、霍尔输出电压也因γ射线辐照而增加,但由于磁场的影响,增加量较小,且与辐照时间不成正比。无源、无磁场作用时,虽然输入、输出电阻因辐照而增加,但磁电阻和霍尔灵敏度却可能增加,也可能减小。所有这些结论对相应的辐射防护研究具有重要的参考价值。
王军杨渭
关键词:电磁参数
共1页<1>
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