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王辉

作品数:9 被引量:8H指数:2
供职机构:吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇波导
  • 3篇聚合物光波导
  • 3篇光波
  • 2篇光开关
  • 2篇MOCVD
  • 2篇MOCVD法
  • 1篇导光
  • 1篇电光
  • 1篇电光开关
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光性能
  • 1篇多层膜
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结器件
  • 1篇折射率
  • 1篇折射率传感
  • 1篇折射率传感器
  • 1篇散射

机构

  • 9篇吉林大学
  • 3篇大连理工大学

作者

  • 9篇王辉
  • 5篇张大明
  • 4篇张宝林
  • 4篇董鑫
  • 4篇杜国同
  • 3篇夏晓川
  • 3篇陈长鸣
  • 3篇史志锋
  • 2篇张金香
  • 2篇田亮
  • 2篇王瑾
  • 2篇蔡旭浦
  • 2篇孙小强
  • 2篇殷伟
  • 2篇伍斌
  • 2篇张琨
  • 2篇刘天际
  • 2篇赵旺
  • 2篇张峰
  • 1篇张仕凯

传媒

  • 4篇发光学报
  • 1篇中国光学
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响被引量:1
2012年
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.07×1020cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。
张仕凯张宝林史志锋王辉夏晓川伍斌蔡旭浦高榕董鑫杜国同
关键词:射频磁控溅射退火温度
有机/无机复合功能材料倒脊型波导热光开关
本文利用溶胶-凝胶技术自主合成了一种具有优良光学特性和高热稳定性的有机/无机复合芯层材料.这种功能材料的分子中含有有机柔性侧链,可形成环氧交联,与无机SiO2-TiO2体系相比,它具有较高的热光系数(量级为10-4/K)...
王辉张峰刘天际王菲孙小强陈长鸣张大明
关键词:热光开关
聚合物布拉格波导光栅折射率传感器的设计
本文通过求解平面光波导耦合模方程,分析了Bragg波导光栅的模式反向耦合问题。通过计算机编程设计了光栅周期、光栅长度、光栅高度和折射率差等参数。优化了Bragg光栅的性能指标——反射率、3-dB带宽和边模抑制比,使其适合...
田亮杨天夫韩超张琨王辉张大明
关键词:聚合物光波导波导光栅光传感器
利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜被引量:2
2011年
利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析。结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性;480~520℃时所制备的ZnMgO薄膜为p型导电,500℃时所制备的样品电阻率最低,为26.33Ω.cm,空穴浓度达1.638×1017 cm-3,迁移率为1.45 cm2/(V.s);室温PL谱显示,制得的p型ZnMgO薄膜具有较大的紫外与可见发光峰强度比,表明其具有良好的光学性能。
赵龙殷伟夏晓川王辉史志锋赵旺王瑾董鑫张宝林杜国同
关键词:ZNMGO薄膜P型掺杂MOCVD
MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能被引量:2
2012年
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。
史志锋伍斌蔡旭浦张金香王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同
关键词:电致发光
MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜被引量:1
2013年
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性。
殷伟张金香崔夕军赵旺王辉史志峰董鑫张宝林杜国同
关键词:MOCVDZNO薄膜
紫外固化型聚合物高阶布拉格波导光栅滤波器被引量:2
2012年
利用紫外固化材料SU-8 2005与热交联聚合物甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸缩水甘油酯[P(MMA-GMA)]分别作为波导芯层和包层材料,通过直接光刻技术,成功实现了厚度为5μm,宽度为9μm,光栅高度为4μm的起伏型高阶布拉格波导光栅滤波器。对光栅器件的谐振波长,光透射率等重要参数进行了模拟设计。测得制备的聚合物高阶布拉格波导光栅滤波器的谐振波长为1 550.4 nm,消光比为23 dB,3-dB带宽为2 nm。
田亮王辉岳远斌陈长鸣张大明
关键词:紫外固化滤波器
聚合物光波导刻蚀表面散射损耗的研究
本文选取聚甲基丙烯酸甲酯。甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,利用有效折射率法计算了倒脊形波导单模传输条件,根据Tien理论分析了散射损耗与等离子体刻蚀后薄膜表面粗糙度的关系,利用原子力显微镜表征了感...
张琨孟杰王辉刘天际李彤孙小强张大明
关键词:散射损耗
基于极化聚合物材料DRl/SU-8的电光开关的研制
本文研究了一种基于DR1/SU-8材料的聚合物电光开关。电光材料为主客掺杂型DR1/SU-8材料,配制时分散红1(DR1)与SU-8的质量比为15wt%。成功制备了以DR1/SU-8为芯层材料,以PMMA和SU-8为上、...
张峰王辉李涛高磊张大明陈长鸣
关键词:聚合物光波导电光开关
共1页<1>
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