王俊
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 以表面等离子体为媒介的ZnO薄膜发光增强特性研究被引量：1
- 2011年
- 采用两步法制备Si基Ag/ZnO双层结构薄膜,研究了Ag覆盖层的厚度和生长温度T对ZnO近带边发光强度的影响.对于厚度为100nm的ZnO薄膜,发现Ag覆盖层的最佳厚度仅为8nm,此时双层薄膜相对于单层ZnO薄膜的发光增强因子η达到最大值8.1;同时还发现,在最佳Ag层厚度下,生长温度T≥300℃时生长Ag所获Ag/ZnO双层薄膜的ZnO发光强度比生长温度T≤200℃时生长的双层薄膜样品大一倍以上,η≈18.结合对双层薄膜表面形貌的测量,发现高生长温度下得到的双层薄膜样品的高η值可归因于高表面粗糙度导致高的外量子效率.
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- 关键词：表面等离子体共振
- 退火对Mn和N共掺杂的Zn_(0.88)Mn_(0.12)O:N薄膜特性的影响被引量：2
- 2008年
- 以NH3为掺N源,采用电子束反应蒸发技术生长了Mn和N共掺杂的Zn1-xMnxO:N薄膜,生长温度为300℃,然后在O2气氛中400℃退火0.5h.X射线衍射测量表明,Zn0.88Mn0.12O(Mn掺杂)薄膜或Zn0.88Mn0.12O:N(Mn和N共掺杂)薄膜仍具有单一晶相纤锌矿结构,未检测到杂质相.与不掺N的Zn0.88Mn0.12O薄膜相比,Zn0.88Mn0.12O:N薄膜的(002)晶面衍射峰向小角度方向偏移且半高宽变宽.Hall效应测量结果显示,Zn0.88Mn0.12O:N薄膜由退火前的n型导电转变为退火后的p型导电.室温磁特性测量结果表明,虽然原生Zn0.88Mn0.12O:N薄膜呈铁磁性,但其饱和磁化强度Ms折算到每个Mn2+仅为约0.20μB,且稳定性不理想,在大气中放置30d后Ms降低到原来的3%左右.退火处理不仅使Zn0.88Mn0.12O:N薄膜的室温Ms增大到每个Mn2+约为0.70μB,且在大气中放置30d后其Ms几乎不变.分析了Zn0.88Mn0.12O:N薄膜的铁磁性起源及退火导致其铁磁性增强并稳定的机理.
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- 关键词：ZNO薄膜电学特性磁特性
