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王涛

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇导体
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇激光
  • 1篇激光二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇半导体
  • 1篇GAN基半导...
  • 1篇INGAN

机构

  • 1篇北京大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇张国义
  • 1篇姚键全
  • 1篇王涛
  • 1篇王涛

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ)被引量：2
2005年
文章评论性地介绍了金属有机化学气相外延技术(MOCVD)生长氮化物半导体GaN和InGaN以及激子局域化效应、量子束缚斯塔克效应对它们的光学性能的影响,详细比较了这两种效应对GaN基半导体发光二极管和激光二极管特性的影响,特别是量子束缚斯塔克效应以显著不同的方式影响着发光二极管和激光二极管的性能;文章还讨论了在A面蓝宝石衬底上生长GaN的情况.
王涛王涛姚键全
关键词：INGAN发光二极管激光二极管金属有机化学气相沉积氮化物半导体
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