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刘金平

作品数：12 被引量：15H指数：2
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发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
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合作作者

领域

  • 15个电子电信
  • 14个理学
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  • 5个机械工程
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  • 3个电气工程
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  • 2个农业科学
  • 2个历史地理
  • 1个生物学
  • 1个冶金工程
  • 1个建筑科学
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主题

  • 15个GSMBE
  • 14个异质结
  • 14个半导体
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  • 13个电路
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机构

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  • 1个中国电子学会
  • 1个国家光电子工...
  • 1个中国科学院大...

资助

  • 11个国家自然科学...
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  • 2个中国科学院院...
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传媒

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  • 4个中国激光
  • 4个稀有金属

地区

  • 15个北京市
共 15 条 记 录，以下是 1-10
孙殿照
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
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李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘学锋
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE GESI/SI SIGE 锗化硅 硅化锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄大定
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 硅 年谱 半导体材料 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林燕霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：晶体管材料 SIGE HBT SIGE/SI GSMBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李灵霄
供职机构：中国科学院
研究主题：GSMBE GSMBE生长 MBE 磷化铟 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱世荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 半导体材料 分子束外延 GSMBE 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高斐
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延生长 原位掺杂 GSMBE生长 晶体管材料 SIGE/SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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