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徐曦

作品数：37 被引量：50H指数：5
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
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詹峻岭
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：反熔丝 性能研究 电离辐照 FPGA 延时电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牟维兵
供职机构：中国工程物理研究院计算机应用研究所
研究主题：X射线 6H-SIC 场效应管 辐照 重金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁国火
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：FPGA 辐照效应 反熔丝 总剂量 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许献国
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：电磁脉冲 闭锁 抗辐射 CMOS器件 X射线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡健栋
供职机构：北京邮电大学电信工程学院信息与通信工程学院
研究主题：CDMA 扩频通信 码分多址 移动通信 智能天线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵刚
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：闭锁 HEMP 单片机系统 性能比较 单片机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董秀成
供职机构：西华大学
研究主题：标记点 遥操作系统 神经网络 遥操作 压缩域
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵汝清
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：CMOS器件 半导体器件 脉冲中子 脉冲 中子源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵洪超
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：反熔丝 Γ剂量率 性能研究 剂量率 中子辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨怀民
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：大规模集成电路 X射线剂量 计算机芯片 中子 电离辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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