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李灵宵

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
刘金平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE GESI/SI 硅化锗 SIGE 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙殿照
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘学锋
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE GESI/SI SIGE 锗化硅 硅化锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄大定
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 硅 年谱 半导体材料 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱世荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 半导体材料 分子束外延 GSMBE 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹吕凡
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：X GSMBE生长 GSMBE X射线双晶衍射 应变SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高斐
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延生长 原位掺杂 GSMBE生长 晶体管材料 SIGE/SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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