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王晓晗

作品数：49 被引量：45H指数：4
供职机构：华东理工大学更多>>
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恩云飞
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所
研究主题：可靠性 集成电路 单粒子效应 木马 电迁移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄云
供职机构：信息产业部电子第五研究所
研究主题：可靠性 集成电路 单粒子效应 寿命评价 裸芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辉
供职机构：信息产业部电子第五研究所
研究主题：电磁兼容 红外焦平面阵列 红外焦平面 标准差 定值
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢冠忠
供职机构：华东理工大学
研究主题：催化剂 催化 丙烯 青霉素酰化酶 环氧丙烷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄仲涛
供职机构：华南理工大学化学与化工学院
研究主题：催化剂 催化 甲醇 无机膜 甲酸甲酯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少华
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所
研究主题：斯特林制冷机 寿命评价 可靠性 红外焦平面 污染
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈波
供职机构：信息产业部电子第五研究所
研究主题：测量电流 监控数据 霍尔电流传感器 环境数据 电流测量装置
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
雷志锋
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所
研究主题：单粒子效应 单粒子翻转 单粒子 中子 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何玉娟
供职机构：工业和信息化部电子第五研究所
研究主题：总剂量效应 MOS器件 总剂量辐照 绝缘体上硅 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘远
供职机构：广东工业大学
研究主题：低频噪声 薄膜晶体管 电路 MOS器件 校准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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