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胡成余

作品数:14 被引量:9H指数:2
供职机构:北京大学更多>>
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相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

领域

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27 条 记 录,以下是 1-10
张国义
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡晓东
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志忠
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 发光二极管 激光剥离 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦志新
供职机构:北京大学
研究主题:位错 氮化镓 ALGAN ALN 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨志坚
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彦杰
供职机构:北京大学
研究主题:氧化层 P型GAN 氮化镓 干法刻蚀 干法处理
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈伟华
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 氮化物 干法刻蚀 峰值波长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王琦
供职机构:北京大学
研究主题:存储介质 电子设备 纹理 图像处理技术 时域
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章蓓
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 激光剥离 发光二极管 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨华
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 MOCVD 欧姆接触 AU DNA甲基化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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